多层复合结构应变硅材料的生长和特性

应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si_(0．7)Ge_(0．3)层/组分渐变Si_(1-x)Ge_x层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si_(1-x)Ge_x层Ge的摩尔分数x从0线性增加到0．2．对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显傲镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4．12 nm和1．2%,材料中的位错密度为4×10~4cm^(-2)．经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变．