晶体硅表面纳米孔减反光结构的制备及其性能表征

利用金属辅助硅化学刻蚀法在晶体硅表面制备了大面积有序硅纳米结构,并基于金属辅助硅化学刻蚀的机理,实现了硅纳米结构从线阵列到孔阵列转变。漫反射光谱的测试结果表明,相对于平面、金字塔结构,硅纳米孔织构的晶体硅具有卓越的减反光性能,在300~1 100nm光谱范围内的AM1.5G太阳光子的光反射损失比低于3.6%。硅纳米孔阵列减反光性能优异,制备方法简单、快速,且其孔壁互连,有益于晶体硅太阳电池的后续制备工艺及其表面结构机械稳定,可作为减反光结构应用于晶体硅太阳电池。