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共晶键合与减薄技术的压电能量采集器(英文) 被引量:1
1
作者 李以贵 颜平 +1 位作者 黄远 杉山进 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期62-66,共5页
采用微硅-锆钛酸铅(Si-PZT)悬臂梁结构并在悬臂梁末端附加镍质量块,构成可以工作于低频环境(小于1 000Hz)的微压电能量采集器,一种利用压电效应将环境振动能转换为电能的器件。利用金薄膜作为中间层的共晶键合技术和PZT研磨减薄技术制... 采用微硅-锆钛酸铅(Si-PZT)悬臂梁结构并在悬臂梁末端附加镍质量块,构成可以工作于低频环境(小于1 000Hz)的微压电能量采集器,一种利用压电效应将环境振动能转换为电能的器件。利用金薄膜作为中间层的共晶键合技术和PZT研磨减薄技术制备了微压电悬臂梁结构,PZT减薄实验最好结果为减薄至8μm。镍质量块(2mm×2mm×0.6mm)采用微电铸工艺制备。通过对硅片与块材PZT的共晶键合工艺与PZT减薄技术的研究,制备出总厚度约为71μm的Si-PZT悬臂梁结构,其中硅梁厚约为47μm,PZT梁厚约为24μm。制备的微压电振动能量采集器样品的测试结果表明:在谐振频率为950 Hz,1.0g加速度激励条件下,其交流输出峰值电压可达958mV。 展开更多
关键词 微制造 能量采集器 减薄技术 共晶键合 锆钛酸铅
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晶片减薄技术原理概况 被引量:7
2
作者 柳滨 《电子工业专用设备》 2005年第6期22-26,共5页
从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。
关键词 晶片 减薄技术 工艺 原理
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玻璃上的502手印单面减薄技术 被引量:2
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作者 王跃进 王宝全 《刑事技术》 2005年第5期49-50,共2页
关键词 手印 手印显现 减薄技术
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多层螺旋CT减薄及重建技术对急性阑尾炎的诊断价值 被引量:5
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作者 周骁虎 《现代医用影像学》 2020年第3期474-476,共3页
目的:探讨多层螺旋CT减薄及重建技术对急性阑尾炎患者的诊断价值。方法:回顾性分析2018年1月-2019年1月我院收治的70例急性阑尾炎患者的临床资料,均行多层螺旋CT检查,对图像进行减薄及重建技术成像。比较减薄及重建技术处理前后的诊断... 目的:探讨多层螺旋CT减薄及重建技术对急性阑尾炎患者的诊断价值。方法:回顾性分析2018年1月-2019年1月我院收治的70例急性阑尾炎患者的临床资料,均行多层螺旋CT检查,对图像进行减薄及重建技术成像。比较减薄及重建技术处理前后的诊断效果及病理学诊断结果,比较减薄及重建技术处理前后的漏诊情况。结果:图像处理后的诊断符合率高于图像处理前,差异有统计学意义(χ~2=4.275,P=0.016);图像处理前,漏诊急性阑尾炎及阑尾周围炎5例,急性单纯阑尾2例,坏疽穿孔性阑尾炎1例,图像处理后仅漏诊急性阑尾炎及阑尾周围炎1例;经减薄及重建技术处理后图像特征更明显,诊断较准确。结论:多层螺旋CT减薄及重建技术可提高急性阑尾炎的诊断符合率,减少漏诊。 展开更多
关键词 急性阑尾炎 多层螺旋CT 多平面重建技术 减薄技术
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连杆小头减薄新技术
5
作者 黄云 钱新生 《汽车制造业》 2003年第1期54-56,共3页
关键词 连杆 汽车 发动机 加工工艺 小头减薄技术 加工精度 切削加工
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胶片减薄技术在核仁组成区嗜银蛋白染色中的应用
6
作者 张丽 郭建军 王晓玲 《中国冶金医学杂志》 1993年第1期5-6,共2页
核仁组成区嗜银蛋白(Ag—NORs)的定量计数和定性观察,用于良、恶性肿瘤鉴别及肿瘤分型、分级的研究日趋增多。为了使Ag—NORs颗粒更清晰地显示出来,我们对胶质银液染色后的切片用法梅氏减薄液处理,细胞核和细胞浆的背景着色明显减轻,Ag... 核仁组成区嗜银蛋白(Ag—NORs)的定量计数和定性观察,用于良、恶性肿瘤鉴别及肿瘤分型、分级的研究日趋增多。为了使Ag—NORs颗粒更清晰地显示出来,我们对胶质银液染色后的切片用法梅氏减薄液处理,细胞核和细胞浆的背景着色明显减轻,Ag—NORs颗粒轮廓清晰,更易计数。 展开更多
关键词 胶质银液染色 减薄技术 AGNOR染色
原文传递
大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展 被引量:26
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作者 康仁科 郭东明 +1 位作者 霍风伟 金洙吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期33-38,51,共7页
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减... 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。 展开更多
关键词 图形硅片 磨削技术 IC封装 硅片背面 减薄技术 加工原理
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简讯
8
《化学工程师》 CAS 2024年第6期37-37,共1页
吉林石化联力公司“万吨级/年重载膜袋装置改扩建项目”开工建设,预计2024年底前实现中交。届时,装置产能将由目前的每年0.5万t增至1.12万t。此前,该公司重载膜厚度由170μm降至165μm的减薄技术攻关成功。
关键词 吉林石化 减薄技术 改扩建项目 膜厚度 万吨级 重载
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垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
9
作者 彭龙新 戴家赟 +2 位作者 王钊 贾晨阳 杨进 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第2期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。 展开更多
关键词 异质集成 热压键合 限幅器 PIN管 晶圆级 超大功率 纵向结构 减薄技术
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GaN HEMT器件背面减薄工艺研究
10
作者 郑晨扬 高军 潘恩赐 《电子技术(上海)》 2023年第1期4-5,共2页
阐述GaN HEMT器件背面工艺的步骤以及背面减薄的特点,针对减薄工艺所需的技术支持需求提出临时键合工艺,探讨临时键合工艺中的问题,优化工艺步骤,提出解决方法,采用粗磨加多步精磨的方法得到50μm厚度的超薄晶圆,验证减薄的可行性。
关键词 减薄技术 临时键合技术 碳化硅
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早期釉质龋病变体部的透射电镜观察 被引量:1
11
作者 赵玮 凌均棨 +2 位作者 汪说之 樊明文 于世凤 《中山大学学报(医学科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期352-354,374,共4页
[目的]探讨早期釉质龋中釉质微晶的溶解方式及病变体部的形成机制。[方法]应用透射电子显微镜(TEM)结合氩离子减薄制样技术对早期釉质龋病变体部的超微结构进行观察。[结果]在早期釉质龋病变体部,釉柱间区增宽,釉柱中心区徽晶的破坏程... [目的]探讨早期釉质龋中釉质微晶的溶解方式及病变体部的形成机制。[方法]应用透射电子显微镜(TEM)结合氩离子减薄制样技术对早期釉质龋病变体部的超微结构进行观察。[结果]在早期釉质龋病变体部,釉柱间区增宽,釉柱中心区徽晶的破坏程度较周边严重,釉柱中心区多数微晶出现中心穿孔,釉柱周边两侧微晶边缘圆钝、增大,并可见大量形态不一、大小不等的晶粒散布其间。[结论]早期釉质龋中单个晶粒的溶解方式主要表现为中心部优先溶解;早期釉质龋病变体部的形成,是以微晶脱矿为主,脱矿和再矿化过程同时存在的结果。 展开更多
关键词 龋齿 早期釉质龋 微晶脱矿 透射电子显微镜 氩离子制样技术
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多管齐下,实现塑料复合软包装行业的低碳运行
12
作者 吴跃忠 《塑料包装》 CAS 2011年第3期16-18,共3页
本文结合作者所在企业的实际情况,简述了塑料复合软包装行业如何才能低碳运作,并就目前行业内行之有效的三个节能能排方面进行阐述。一是通过降低有机溶剂的使用量来降低成本和减少溶剂排放;二是通过包装的减薄技术使得降低包装材料的... 本文结合作者所在企业的实际情况,简述了塑料复合软包装行业如何才能低碳运作,并就目前行业内行之有效的三个节能能排方面进行阐述。一是通过降低有机溶剂的使用量来降低成本和减少溶剂排放;二是通过包装的减薄技术使得降低包装材料的使用量,在达到同等效果的情况下节约材料;三是通过对电能等能源的节约使用,使得企业的节能环保更进一步。 展开更多
关键词 塑料复合软包装 低碳经济 溶剂回收 减薄技术 能源消耗
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