一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法

在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算"电子-分子"散射总截面的可加性规则修正方法.利用这一修正后的可加性规则并使用"电子-C,H,O,N原子"散射总截面的实验数据,在50—5000eV内计算了电子被NO,N2O,NO2和C2H6分子散射的总截面,且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较.结果表明,利用这一方法修正过的可加性规则进行计算,所得结果要比利用未修正的可加性规则及其他理论进行计算所得结果更接近实验值.同时分析也表明,为使未修正的可加性规则能够在一个较大的能区内直接用于"电子-分子"散射总截面的计算,必须改造适用于"电子-自由原子"散射总截面计算的复光学势,以解决它用于"电子-分子中的原子"散射总截面的计算时,在中低能区过强、且随电子入射能量的增加而衰减太快的问题.

50—5000eV电子被C_4H_8O,C_5H_(10)O_2,C_6H_5CH_3和C_4H_8O_2散射的总截面

使用电子被C,H和O原子散射总截面的实验数据,利用修正后的可加性规则计算了能量为50—5000eV的电子被4个复杂大分子C4H8O,C5H10O2,C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明,即使是在几十电子伏的入射能量下,修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好,而使用未修正的可加性规则进行计算,即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远.分析表明,未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的,其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.