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FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
1
作者
方精训
吕健
《集成电路应用》
2024年第2期60-62,共3页
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件PMOSFET的性能也得到明显提升。
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关键词
集成电路制造
FD-SOI
外延
凸起源漏结构
下载PDF
职称材料
题名
FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
1
作者
方精训
吕健
机构
上海华力集成电路制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2024年第2期60-62,共3页
文摘
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件PMOSFET的性能也得到明显提升。
关键词
集成电路制造
FD-SOI
外延
凸起源漏结构
Keywords
Integrated circuit manufacturing
FD-SOI
epitaxy
convex origin drain structure
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
方精训
吕健
《集成电路应用》
2024
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