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FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
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作者 方精训 吕健 《集成电路应用》 2024年第2期60-62,共3页
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P... 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件PMOSFET的性能也得到明显提升。 展开更多
关键词 集成电路制造 FD-SOI 外延 凸起源漏结构
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