1
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等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理 |
李诚瞻
庞磊
刘新宇
黄俊
刘键
郑英奎
和致经
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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2
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AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性 |
肖洋
张一川
张昇
郑英奎
雷天民
魏珂
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
1
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3
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采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件 |
黄俊
张宗贤
黄峰
魏珂
刘新宇
郝跃
张进诚
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《科技创新导报》
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2012 |
0 |
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4
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AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术 |
黄俊
魏珂
刘新宇
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《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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