不同宽度和夹角的微米交叉凹槽表面图形的摩擦学性能研究

采用销-盘摩擦副接触方式在流体润滑下,对SKD11模具钢表面不同宽度和夹角的微米交叉凹槽表面图形进行摩擦试验,利用Stribeck曲线分析在不同试验条件下,微米交叉凹槽表面图形的滑动摩擦特性,并考察不同宽度和夹角的微米交叉凹槽表面图形的摩擦行为。结果表明:微米凹槽宽度为40,70及100μm时,微米交叉凹槽表面图形分别在其基准夹角为60°、40°及10°时显示出最佳的滑动摩擦特性;微米交叉凹槽基准夹角为20°～40°时,摩擦因数主要依赖于凹槽宽度的变化;确定基准长度和摩擦因数之间的关系,即基准长度为0.1时具有最佳的摩擦特性。

ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究

详细研究了ZEP520在Si衬底上的对比度、灵敏度、分辨率,并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响;同时还初步研究了ZEP520在GaAs衬底上的曝光工艺。实验结果表明,ZEP520的灵敏度远高于PMMA,在Si和GaAs上用ZEP520能分别制作出100nm和130nm宽的细线条,通过预烘GaAs衬底,可以消除ZEP520中的裂纹,因此用ZEP520制作器件或电路中各种细小凹槽图形是十分有利的。

电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究

为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系;特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件,得到了合适的图形效果。