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脉冲电压下介质膜的击穿寿命
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作者 范焕章 王刚宁 +2 位作者 翁丽敏 汪静 黎想 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期52-58,共7页
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅... 该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅介质膜击穿寿命增加。 展开更多
关键词 介质膜 击穿寿命 脉冲电压 电应力 VLSI
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Dynamic Theory of Electric Breakdown for Oxides
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作者 邹健 丁洪志 邢修三 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 1996年第2期121+117-121,共6页
The dynamic aspects of dielectric breakdown (DB) is studied in this article. A quantitative model based on impact ionization is presented. The formulae of microdefect growth rate and lifetime prediction are derived an... The dynamic aspects of dielectric breakdown (DB) is studied in this article. A quantitative model based on impact ionization is presented. The formulae of microdefect growth rate and lifetime prediction are derived and show fair agreement with experimental data in SiO2. All the fitting parameters have definite physical meanings. 展开更多
关键词 dielectric breakdown impact ionization lifetime prediction ageing
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