期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
通过Si02薄膜中多击穿通路的漏电流分析模型
1
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第2期68-68,共1页
关键词
Si02薄膜
二氧化硅
漏电流
击穿通路
MOS器件
下载PDF
职称材料
题名
通过Si02薄膜中多击穿通路的漏电流分析模型
1
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第2期68-68,共1页
关键词
Si02薄膜
二氧化硅
漏电流
击穿通路
MOS器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
通过Si02薄膜中多击穿通路的漏电流分析模型
《电子产品可靠性与环境试验》
2003
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
