期刊文献+
共找到19篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
TFT-LCD工艺与静电击穿 被引量:6
1
作者 李欣欣 龙春平 王威 《现代显示》 2007年第3期59-63,42,共6页
薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,TFT-LCD)的制造工艺是一个复杂的过程,各个环节都可能发生静电击穿(electrostaticdischarge,ESD)现象,导致TFT-LCD器件被破坏,极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管(T... 薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,TFT-LCD)的制造工艺是一个复杂的过程,各个环节都可能发生静电击穿(electrostaticdischarge,ESD)现象,导致TFT-LCD器件被破坏,极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管(TFT)生产工艺的实际情况,阐述了产线里各类产品型号的ESD发生状况。在此基础上,对各种设计、工艺过程和工艺参数对ESD造成的影响进行了分析研究,为实际的生产提供了指导作用。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 静电击穿 电场强度
下载PDF
TFT制作中静电击穿的研究 被引量:1
2
作者 王丽娟 王百金 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2004年第1期74-76,共3页
薄膜晶体管 (ThinFilmTransistor英文缩写TFT)是有源矩阵液晶显示器的开关元件。在TFT的制作中 ,静电击穿严重影响TFT的制作成品率。本文重点研究O2 灰化设备辉光放电过程中产生的静电击穿。这种静电击穿破坏TFT产品的短路环 ,引起栅极... 薄膜晶体管 (ThinFilmTransistor英文缩写TFT)是有源矩阵液晶显示器的开关元件。在TFT的制作中 ,静电击穿严重影响TFT的制作成品率。本文重点研究O2 灰化设备辉光放电过程中产生的静电击穿。这种静电击穿破坏TFT产品的短路环 ,引起栅极与源漏电极短路。本文通过实验与分析 ,找到了O2 灰化设备产生静电击穿的原因 ,并提出解决对策 ,在吉林彩晶 (JCT工厂 ) 展开更多
关键词 薄膜晶体管 静电击穿 TFT 有源矩阵液晶显示器 制作 辉光放电
下载PDF
半导体器件静电击穿及其规律
3
作者 罗宏昌 《LSI制造与测试》 1997年第2期19-21,共3页
关键词 半导体器件 静电击穿 氧化膜
下载PDF
一种航天接口芯片静电防护电路的软击穿现象
4
作者 马有为 温兆伦 +2 位作者 李猛 陈天培 王楠 《飞控与探测》 2022年第5期52-62,共11页
接口阻抗测试是航天产品中判断产品状态是否正常的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析... 接口阻抗测试是航天产品中判断产品状态是否正常的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立对应的电路模型,从理论上分析芯片静电损伤的现象。分析表明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。 展开更多
关键词 静电防护电路 阻抗测试 静电击穿 失效分析
下载PDF
洁净室中的静电污染
5
作者 于振峰 涂光备 陈雪芬 《电子电路与贴装》 2003年第3期91-93,共3页
洁净室静电危害主要有静电击穿和微粒子吸附两种。静电击穿产生的原因是静电放电(简称为ESD;E1ectro Static Discharge);微粒子吸附主要与静电力(库仑力)、重力和扩散作用为主的三个作用力有关。所有这些静电危害都会给洁净生产造成... 洁净室静电危害主要有静电击穿和微粒子吸附两种。静电击穿产生的原因是静电放电(简称为ESD;E1ectro Static Discharge);微粒子吸附主要与静电力(库仑力)、重力和扩散作用为主的三个作用力有关。所有这些静电危害都会给洁净生产造成影响。 展开更多
关键词 洁净室 静电污染 静电放电 微粒子吸附 静电击穿 产生机理 静电控制
下载PDF
感应圈的脉动高压对静电演示现象的影响
6
作者 蒲昭明 杨占民 《教学仪器与实验》 1995年第Z1期15-15,共1页
感应圈的脉动高压对静电演示现象的影响蒲昭明,杨占民(贵州师大物理系)由于感应起电机容量小,在潮湿的天气里许多静电演示实验难于成功;此外,还由于现在生产的直流高压电源质量不过关,所以在静电演示实验中人们还乐于用感应留作... 感应圈的脉动高压对静电演示现象的影响蒲昭明,杨占民(贵州师大物理系)由于感应起电机容量小,在潮湿的天气里许多静电演示实验难于成功;此外,还由于现在生产的直流高压电源质量不过关,所以在静电演示实验中人们还乐于用感应留作高压电源.感应圈的原理图如图1所示... 展开更多
关键词 感应圈 动高压 演示实验 击穿静电 感应起电机 火花放电 高压电源 电源电压 自感电动势 尖端放电
下载PDF
一种GOA产品静电失效的研究及改善 被引量:2
7
作者 杨宗顺 陶雄 +3 位作者 钟野 李伟 王耀杰 张志聪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期155-159,共5页
在TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)行业中,进行摩擦工艺制程时,玻璃基板与机台接触、分离;摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程,都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver... 在TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)行业中,进行摩擦工艺制程时,玻璃基板与机台接触、分离;摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程,都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver on Array)产品,结合摩擦工艺参数、生产环境,进行了一系列静电相关验证。验证发现:摩擦工艺中摩擦布寿命、环境湿度对静电发生影响很大。摩擦布寿命越靠后,静电越容易发生;湿度越大,静电越不容易发生。摩擦机台顶针上升速度、摩擦布类型也对静电发生有一定影响,顶针缓慢上升,静电不容易发生;摩擦棉布较尼龙布静电效果相对较好。而针对摩擦工艺发生的静电失效不良,光配向替代是一种根本的解决方法,导入光配向工艺后,摩擦相关静电失效不良由量产6.8%下降为0%。 展开更多
关键词 摩擦工艺 静电击穿 GOA产品 摩擦布寿命 湿度 光配向
下载PDF
高精密薄膜车载导航触控器件制程静电防护控制探讨
8
作者 杨烨 许国栋 《机电工程技术》 2021年第12期54-57,共4页
针对车载触控器件的静电击穿现象进行原因分析,并系统实施隔离这一静电防护方法,有效降低了产品在生产制造过程中发生静电击穿的比例,进而提高了产品的良率,以节约生产制造成本。通过对车载触控器件进行结构分析,将触控器件发生静电击... 针对车载触控器件的静电击穿现象进行原因分析,并系统实施隔离这一静电防护方法,有效降低了产品在生产制造过程中发生静电击穿的比例,进而提高了产品的良率,以节约生产制造成本。通过对车载触控器件进行结构分析,将触控器件发生静电击穿的典型区域分为视窗区桥点、触控芯片及按键区走线。结合生产制造过程静电产生与击穿机理,以及贴膜、贴合过程触控器件的状态分析,得出需要对3个典型区域分别采取流程调整,增加高阻隔离层及高阻耗散胶皮等不同措施。通过引入高阻耗散隔离层的防静电方法,将发生静电击穿的比例分别降低了5.6%、0.11%以及7.75%。这一结果说明,在生产过程中,需要着重处理各个高阻耗散隔离细节,才能真正地降低,抑制和预防静电击穿的发生。 展开更多
关键词 触控器件 静电击穿 高阻 耗散 隔离层
下载PDF
MOS集成电路生产过程中防静电的讨论
9
作者 潘广问 《半导体杂志》 1996年第3期48-49,共2页
本文分析了MOS集成电路的静电击穿机理。
关键词 静电击穿 静电 MOS集成电路
下载PDF
基于电荷泵和电场增强层的滑动式直流摩擦纳米发电机的性能提升
10
作者 陈晨 方林 王佩红 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期107-113,共7页
针对直流摩擦纳米发电机(DC-TENG)自身性能的局限性以及静电击穿的优化,提出了一种简便、通用的将电荷泵和电场增强层与DC-TENG耦合的策略(CE-DC-TENG),以提高DC-TENG的输出性能。交流摩擦纳米发电机(AC-TENG)被用作电荷泵,在DC-TENG中... 针对直流摩擦纳米发电机(DC-TENG)自身性能的局限性以及静电击穿的优化,提出了一种简便、通用的将电荷泵和电场增强层与DC-TENG耦合的策略(CE-DC-TENG),以提高DC-TENG的输出性能。交流摩擦纳米发电机(AC-TENG)被用作电荷泵,在DC-TENG中引入一层增强电场的导电层并与电荷泵连接,以积累电荷和增强静电击穿的电场。在研究过程中,设置了运动频率与竖直压力这两个参数,并通过改变参数的大小测试了对应的输出性能。结果表明在1.0 Hz的运动频率和25 N竖直压力下,CE-DC-TENG输出电流约为0.67μA,七个周期的转移电荷量约为0.95μC。这个结果分别约为基于静电击穿DC-TENG的5倍和2倍。并且,该器件的输出功率在负载电阻600 MΩ左右获得最大值,达到54μW。CE-DC-TENG的峰值输出功率约是DC-TENG的18倍。通过线性滑动模式CE-DC-TENG验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 直流摩擦纳米发电机(DC-TENG) 电荷泵 电场增强层 静电击穿 线性滑动模式
下载PDF
覆铜板面铜定位损伤问题的探讨
11
作者 欧阳川磊 王立峰 +1 位作者 杨乐 高杨 《印制电路信息》 2022年第8期24-28,共5页
覆铜板(CCL)铜面定位损伤是印制电路板(PCB)经常反馈的一种缺陷。定位损伤的表现形式有铜皮缺失、三角擦花、铜皮鼓起等,由于定位损伤的缺陷在CCL上,是在CCL加工过程中产生的。关于定位损伤的形成机理,目前还存在争议,主要是静电与负压... 覆铜板(CCL)铜面定位损伤是印制电路板(PCB)经常反馈的一种缺陷。定位损伤的表现形式有铜皮缺失、三角擦花、铜皮鼓起等,由于定位损伤的缺陷在CCL上,是在CCL加工过程中产生的。关于定位损伤的形成机理,目前还存在争议,主要是静电与负压两个方面的猜想,本文主要针对定位面铜损伤的两种猜想进行了考察与研究。 展开更多
关键词 覆铜板 面铜损伤 三角擦花 静电击穿
下载PDF
汽车自燃的原因及预防 被引量:2
12
作者 李敬文 《山东工业技术》 2018年第21期10-14,共5页
为了降低车辆自燃机率,作者针对某汽油车型64起自燃案例进行了深入剖析,共归纳总结出自燃原因五大类,分别为漏油导致自燃、漏电导致自燃、漏热导致自燃、外来火源导致自燃以及静电击穿导致车辆自燃。
关键词 漏油 漏电 漏热 外来火源 静电击穿
下载PDF
如何防止计算机芯片被静电击穿
13
作者 孙维群 《中小学电教(综合)》 2002年第12期59-59,共1页
你知道计算机“无故”被破坏的元凶是谁吗? 某用户的计算机“不知不觉”地坏了。经检查是机内EPROM集成电路芯片被击穿。芯片为何被击穿?竟查不出原因。真奇怪! 其实说怪也不怪,这就是“无形破坏者”——人体携带的静电而为。只是当场... 你知道计算机“无故”被破坏的元凶是谁吗? 某用户的计算机“不知不觉”地坏了。经检查是机内EPROM集成电路芯片被击穿。芯片为何被击穿?竟查不出原因。真奇怪! 其实说怪也不怪,这就是“无形破坏者”——人体携带的静电而为。只是当场没有将其“捉住”,事后又没找到“证据”而已。静电放电不仅能够干扰计算机的正常运行,还常常会击穿机内的集成电路芯片使其陷于瘫痪。而这种破坏相当迅速、隐蔽、巧妙,人们既看不见、又摸不着,且事后查无实据,所以我们只好称它为“无形破坏者”。“无形破坏者”的破坏行为只能采用推理的方法认定:人体所带的静电电压一般都很高,有时会达上万伏,甚至几万伏、十几万伏。我们平时穿。 展开更多
关键词 破坏者 计算机芯片 集成电路芯片 静电击穿 静电放电 干扰计算 静电电压 无形 破坏行为 人体
原文传递
面向环境振动能量收集的直流摩擦纳米发电机技术进展
14
作者 陈雨润 张虎 +2 位作者 徐才华 邓龙 谢立强 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第7期1000-1011,共12页
介绍了摩擦纳米发电机(TENG)的工作原理和特点,总结了从交流输出摩擦纳米发电机(AC-TENG)到直流输出摩擦纳米发电机(DC-TENG)的技术革新变化,根据摩擦纳米发电机不同的直流化技术原理,分别阐述了基于机械整流式、相位控制式、半导体聚... 介绍了摩擦纳米发电机(TENG)的工作原理和特点,总结了从交流输出摩擦纳米发电机(AC-TENG)到直流输出摩擦纳米发电机(DC-TENG)的技术革新变化,根据摩擦纳米发电机不同的直流化技术原理,分别阐述了基于机械整流式、相位控制式、半导体聚合物的动态肖特基式、空气击穿式的DC-TENG近几年的研究进展,并重点分析了基于静电击穿式DC-TENG的工作原理、性能优化和应用方法等。讨论了AC-TENG和DC-TENG之间的异同,得出了通过两者输出性质的差异化来提高自供电传感器精度的结论。最后,对未来DC-TENG技术进行展望,认为DC-TENG与AC-TENG有相似的发展路线,将面临相似的不足与挑战,通过借鉴AC-TENG的改进过程,能有效减少在DC-TENG发展中可能出现的问题。 展开更多
关键词 摩擦纳米发电机(TENG) 能量收集 低频 摩擦起电 静电击穿
下载PDF
聚碳酸酯背光膜前景看好
15
作者 郁红 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期31-31,共1页
日前在京举办的“2005第四届中国国际电源产业展览会”上.美国GE高新材料集团特种薄膜板材部在中国区市场部经理陈志荣士表示,由于电子消费品市场增长迅速,中国的背光膜市场前景非常看好。背光膜主要用于附着在手机和其它电器的显示... 日前在京举办的“2005第四届中国国际电源产业展览会”上.美国GE高新材料集团特种薄膜板材部在中国区市场部经理陈志荣士表示,由于电子消费品市场增长迅速,中国的背光膜市场前景非常看好。背光膜主要用于附着在手机和其它电器的显示器背后,目的是防止静电击穿。GE高新材料一直致力于研发采用性价比更高的新材料生产这一产品。 展开更多
关键词 光膜 聚碳酸酯 GE高新材料 市场增长 特种薄膜 电源产业 市场前景 静电击穿 材料生产
下载PDF
TFT-LCD楔形ESD不良研究与改善
16
作者 王宝军 王超 +7 位作者 刘玉清 顾岩 黄雷 王丹 王建 石丹纯 于天明 陈静 《电子世界》 2019年第13期38-39,共2页
本文研究在TFT-LCD模组生产过程中,产品在发生静电击穿后产生的楔形ESD不良达0.36%。通过排查和测试表明,现场包材垫片单体测量符合标准。但人员快速掀起垫片时会瞬间产生较大电压,造成产品击穿。通过模拟实验验证,人员掀开垫片速度和... 本文研究在TFT-LCD模组生产过程中,产品在发生静电击穿后产生的楔形ESD不良达0.36%。通过排查和测试表明,现场包材垫片单体测量符合标准。但人员快速掀起垫片时会瞬间产生较大电压,造成产品击穿。通过模拟实验验证,人员掀开垫片速度和湿度对电压产生高低均有影响,而掀起速度为主要影响;但减慢人员速度会影响产能,最终通过在手投屏工位增加离子风机的方式中和产生的电压,并制定其清洁周期,确保其持续稳定。通过改善,该不良降低至0.03%。 展开更多
关键词 TFT-LCD ESD 楔形 静电击穿 生产过程 模拟实验 垫片 电压
下载PDF
硬件类
17
《网友世界》 2009年第2期90-90,共1页
天气越来越冷,静电越来越多,E博士在一天内就被电到了三四次。搞得现在我看见电脑就害怕。所以在这里提醒大家,一定要在冬季为电脑机箱做好接地设置,在使用U盘、摄像头等USB外设时,不要用手触碰USB接口,并尽量保持在关机状态下进... 天气越来越冷,静电越来越多,E博士在一天内就被电到了三四次。搞得现在我看见电脑就害怕。所以在这里提醒大家,一定要在冬季为电脑机箱做好接地设置,在使用U盘、摄像头等USB外设时,不要用手触碰USB接口,并尽量保持在关机状态下进行拔插操作,以防静电击穿主板芯片组。 展开更多
关键词 USB接口 硬件 电脑机箱 静电击穿 主板芯片组 关机状态 摄像头 U盘
下载PDF
硬盘是怎么坏的
18
作者 李丽琴 《电脑采购》 2001年第43期18-18,共1页
每一种产品都要经过设计、制造、包装、运输等阶段,像电灯泡那样需要特别操作的产品,更应该如此,如果灯泡在使用过程中损坏,完全可以拿手来更换,它损坏的只是在外部。然而,硬盘如果损坏,则会造成这个系统崩溃。造成的损失不堪设想。下... 每一种产品都要经过设计、制造、包装、运输等阶段,像电灯泡那样需要特别操作的产品,更应该如此,如果灯泡在使用过程中损坏,完全可以拿手来更换,它损坏的只是在外部。然而,硬盘如果损坏,则会造成这个系统崩溃。造成的损失不堪设想。下面以西部数据公司的硬盘产品为例子,谈谈人们为什么常常会碰到硬盘莫名其妙坏掉的情况。静电造成硬盘损坏典型的硬盘损坏,大多是由粗暴操作、冲击、震动以及静电击穿(ESD)造成的。静电可以损坏整个硬盘。有时也可能造成隐形损伤,以至于在出厂后也不容易显现。静电是由各种各样的环境和人为因素造成的。比如:干燥的空气比潮湿的空气更有可能产生静电。象聚酯、地毯、硬橡胶、乙烯基以及泡沫塑料杯子和玻璃纸等等都很容易产生电荷。我们常常坐的椅子上的垫子也常带电荷。由静电造成的硬盘损坏,通常是肉眼看不到的,要么是断断续续的硬盘故障,要么是硬盘完全不工作时,才会发现。但是通过遵循正确的操作步骤和每天检查接地装置。 展开更多
关键词 硬盘故障 静电击穿 损坏 包装袋 防护作用 静电 使用过程 印刷电路板 泡沫塑料 操作步骤
下载PDF
解决工业级系统失效率和寿命的方案中的应用举措及新趋势
19
《磁性元件与电源》 2023年第9期167-172,共6页
本文仅将对SiCMOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。与此同时对伴随可靠性解决方案中的SiCMOSFET的快速短路检测与保护及高速SoC和RFIC电磁串扰解决方案应用中举... 本文仅将对SiCMOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。与此同时对伴随可靠性解决方案中的SiCMOSFET的快速短路检测与保护及高速SoC和RFIC电磁串扰解决方案应用中举措及新趋势作分析说明。 展开更多
关键词 短路检测 门级驱动 栅极氧化层 静电击穿与保护
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部