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真空开关管使用起始阶段的重击穿频率
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作者 别尔.,AA 尹继栋 《真空电器技术》 1992年第1期32-36,共5页
关键词 真空开关管 击穿频率 起始阶段
原文传递
高气压下交流旋转滑动弧放电特性实验研究 被引量:4
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作者 张磊 于锦禄 +5 位作者 赵兵兵 陈朝 蒋永健 胡长淮 程惠能 郭昊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期268-280,共13页
本文针对恶劣条件下滑动弧等离子体放电稳定性问题,搭建了高气压交流旋转滑动弧放电实验系统,开展了高气压下交流旋转滑动弧放电特性实验,并对其放电特性、电弧运动特性、光谱特性进行了分析.研究结果表明:随着介质气体压力的升高,滑动... 本文针对恶劣条件下滑动弧等离子体放电稳定性问题,搭建了高气压交流旋转滑动弧放电实验系统,开展了高气压下交流旋转滑动弧放电特性实验,并对其放电特性、电弧运动特性、光谱特性进行了分析.研究结果表明:随着介质气体压力的升高,滑动弧放电的电压、电流、能量均呈现增大趋势,当介质气体压力升高到0.52 MPa时,滑动弧放电的能量从常压下的84.74 J增大到147.13 J;且随着介质气体压力的升高,电弧的击穿频率并不是单调变化,而是在0.2 MPa时达到最大为26.55 kHz;高气压下电弧运动过程中会出现“弧道骤变”现象;随着介质气体压力的升高,滑动弧放电的整体光谱发射强度呈现变强趋势;通过两谱线法对滑动弧放电的电子激发温度进行了计算,常压下滑动弧放电的电子激发温度为0.8153 eV,随着介质气体压力的升高,电子激发温度呈现升高趋势,当介质气体压力达到0.4 MPa时,滑动弧放电的电子激发温度升高至5.3165 eV. 展开更多
关键词 滑动弧等离子体 高气压放电 电子激发温度 击穿频率
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旋转滑动弧放电等离子体滑动放电模式的实验研究 被引量:13
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作者 雷健平 何立明 +6 位作者 陈一 陈高成 赵兵兵 赵志宇 张华磊 邓俊 费力 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期151-162,共12页
交流旋转滑动弧放电能够在大气压下产生大面积、高活性的非平衡等离子体.为了研究交流旋转滑动弧的滑动放电模式、放电特性及光谱特性,本文采用高速相机与示波器同步采集旋转滑动弧的放电图像和电信号,采用光谱仪采集光谱信号,分析旋转... 交流旋转滑动弧放电能够在大气压下产生大面积、高活性的非平衡等离子体.为了研究交流旋转滑动弧的滑动放电模式、放电特性及光谱特性,本文采用高速相机与示波器同步采集旋转滑动弧的放电图像和电信号,采用光谱仪采集光谱信号,分析旋转滑动弧运动过程中电弧的动态行为、电信号及光谱信号特征.实验结果表明,旋转滑动弧放电过程中存在两种不同的滑动放电模式,即伴随击穿滑动放电模式(B-G模式)与稳定滑动放电模式(A-G模式).其中B-G模式以电弧旋转滑动过程中伴随击穿-熄灭-击穿的高频击穿现象为主要特征,而A-G模式以持续稳定的连续电弧滑动为主要特征.本文讨论了工作参数影响滑动弧放电模式、放电特性及光谱特性的工作机制.研究发现,电弧的放电模式和放电特性是激励电压与气体流量共同作用的结果.当气体流量较大、激励电压较小时,滑动弧为B-G模式主导的高频击穿不稳定放电;而当激励电压较大、气体流量较小时,滑动弧则为A-G模式为主导的稳定滑动放电. 展开更多
关键词 旋转滑动弧 放电模式 击穿频率 击穿电流
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基于VaR的新三板企业股权质押率分析—以枫盛阳(430431)为例
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作者 曾玉华 金辉 《商业全球化》 2016年第4期97-103,共7页
股权质押贷款是新三板企业主要的债务融资方式,质押率的大小直接反映了股权质押贷款中的风险暴露程度。以新三板挂牌企业枫盛阳(430431)为例,采用VaR方法计算其质押率并通过模拟贷款分析击穿频率,判断质押率上限(30%)设定的合理性;在此... 股权质押贷款是新三板企业主要的债务融资方式,质押率的大小直接反映了股权质押贷款中的风险暴露程度。以新三板挂牌企业枫盛阳(430431)为例,采用VaR方法计算其质押率并通过模拟贷款分析击穿频率,判断质押率上限(30%)设定的合理性;在此基础上,以三板做市(899002)代表整个市场,对比枫盛阳(430431)与三板做市(899002)的击穿频率,分析个体企业和市场总体的差异。研究发现,模拟贷款期限越短VaR值越小,使得质押率越高,击穿频率越高;反之亦然。确定股权质押率时不仅要考虑市场的情况,还需要对所属行业企业资质进行针对性分析考虑。 展开更多
关键词 新三板企业 股权质押贷款 质押率 VAR 击穿频率
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A Novel Polysilicon and Oxide Sandwich Deep Trench with Field Limiting Ring for RF Power Transistors
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作者 齐臣杰 傅军 +1 位作者 王军军 刘理天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1398-1402,共5页
A vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices.Simulation result shows that nearly 100% breakdown voltage of the plane... A vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices.Simulation result shows that nearly 100% breakdown voltage of the plane junction can be realized. 展开更多
关键词 deep trench field limiting ring breakdown voltage
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