拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen位移调控

运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的规律。可以通过调节入射线极化波的入射角、改变函数光子晶体周期数或在表面涂覆不同的拓扑绝缘体来控制分界面上的Goos-Hänchen位移。

函数型光子晶体表面的光自旋霍尔效应

应用传输矩阵法研究含缺陷层的函数型光子晶体表面的光自旋霍尔效应,数值计算和分析研究发现,通过调节入射线偏振光的偏振角、入射角、函数型光子晶体周期数、缺陷层光学厚度及入射光波圆频率等,可以实现反射光波和透射光波相对于入射点的横向位移控制。在数值计算中还发现通过调节相应参量可以实现百微米量级透射光波的横移,这些工作可为基于自旋的量子通信以及新型光电器件研究提供理论参考。

拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面处Kerr效应和Faraday效应研究

应用传输矩阵法和等效介质理论,研究了拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应,结果显示,在某些频率处,两种线极化波的反射波极化平面都可能会发生近似± π2的旋转,其附近周期结构的等效介电常数也有突变。进一步研究还发现,透射波极化面的旋转角随频率的变化规律与周期结构(BAB)n等效磁导率随频率的变化规律类似。以上结果都说明,在拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应与入射波频率、周期结构的介电常数和磁导率等关系紧密。