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分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 被引量:6
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作者 矫淑杰 梁红伟 +5 位作者 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期460-462,共3页
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延
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