用分割靶法制备Y_（1－x）Ho_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导薄膜

本文利用直流磁控溅射技术，在（１００）钇稳定的ＺｒＯ２基片上制备出ｃ轴取向很好的Ｙ１－ｘＨＯｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０＜ｘ≤１）超导薄膜。实验中所用的靶材由ＹＢＣＯ和ＨＢＣＯ超导材料各一半组成。随着ＨＢＣＯ靶材到加热器距离的变化，钬的含量发生变化，当ｘ＝０．７（原子比），零电阻温度Ｔ∞＞８３Ｋ。