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磺胺甲噁唑分子印迹传感器的制备与表征
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作者 赫春香 马秀丽 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第1期77-81,共5页
以磺胺甲噁唑为模板分子,邻氨基苯酚为功能单体,制备了具有磺胺甲噁唑分子空穴的印迹修饰电极.该电极对磺胺甲噁唑有选择性响应和电催化氧化作用,以此印迹修饰电极为传感器,进行微分脉冲伏安法扫描,磺胺甲噁唑的氧化峰电流与其浓度在1.0... 以磺胺甲噁唑为模板分子,邻氨基苯酚为功能单体,制备了具有磺胺甲噁唑分子空穴的印迹修饰电极.该电极对磺胺甲噁唑有选择性响应和电催化氧化作用,以此印迹修饰电极为传感器,进行微分脉冲伏安法扫描,磺胺甲噁唑的氧化峰电流与其浓度在1.00×10^(-6)~1.00×10^(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为5.00×10^(-7) mol/L.采用循环伏安法和交流阻抗技术对传感器进行表征,结果表明:印迹效率为35.4%,磺胺甲噁唑与邻氨基苯酚的结合位点数为6.采用光谱法研究了功能单体与模板分子的相互作用,表明二者之间存在能量转移. 展开更多
关键词 磺胺甲噁唑 邻氨基苯酚 分子印迹修饰电极 微分脉冲伏安法 膜表征
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