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单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法
1
作者
高
《红外》
CAS
2004年第10期27-27,共1页
美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是。
关键词
单片铅-盐红外辐射探测器
微测辐射热计
分子束外延淀积技术
结构设计
下载PDF
职称材料
题名
单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法
1
作者
高
出处
《红外》
CAS
2004年第10期27-27,共1页
文摘
美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是。
关键词
单片铅-盐红外辐射探测器
微测辐射热计
分子束外延淀积技术
结构设计
分类号
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
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作者
出处
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1
单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法
高
《红外》
CAS
2004
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