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分子束技术研究Ba与CHCl_3,CCl_4的反应
1
作者 韩克利 何国钟 楼南泉 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1992年第6期521-526,共6页
本文分别在交叉分子束和分子束-气体条件下,利用化学发光方法,研究了Ba(~3D)+CH_2Cl_2,CHCl_3,CCl_4和Ca(~1S_0),Ca(~3P),Ba(1S_0),Ba(~3D)+CCl_4的反应。实验得出了Ba(~3D)与CH_2Cl_2,CHCl_3,CCl_4反应时,A^2Ⅱ,B^2Σ^+态BaCl产物的发... 本文分别在交叉分子束和分子束-气体条件下,利用化学发光方法,研究了Ba(~3D)+CH_2Cl_2,CHCl_3,CCl_4和Ca(~1S_0),Ca(~3P),Ba(1S_0),Ba(~3D)+CCl_4的反应。实验得出了Ba(~3D)与CH_2Cl_2,CHCl_3,CCl_4反应时,A^2Ⅱ,B^2Σ^+态BaCl产物的发光截面对反应物碰撞能的依赖关系和反应阈能,以及Ba(~3D)与CCl_4反应时,产生电子激发态BaCl产物的光子产率。发现当Ba,Ca被激发到亚稳态时,Ba+CCl_4的反应电子基态BaCl产物的振动激发增加;而Ca+CCl_4的反应电子基态CaCl产物的转动激发增加。并针对以上结果进行分析讨论。 展开更多
关键词 氯代甲烷 反应 分子束技术
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分子束外延技术及其进展 被引量:1
2
作者 周均铭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第5期281-293,共13页
由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法已不能满足要求。许多新发展起来的多层异质器件,在某些场合希望组分和掺杂有较陡的分布。
关键词 分子外延技术 液相外延 真空淀积 共淀积 光电子器件 薄膜制备 单原子 汽相外延 高能电子衍射仪 生长速率
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新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用
3
作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 周丹 罗毅 《电子产品世界》 1999年第3期68-70,共3页
关键词 外延生长 分子外延技术 半导体材料
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原子层分子束外延技术
4
作者 宋登元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期47-48,F003,9,共4页
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.
关键词 原子层分子外延技术 化学气相淀积技术 薄膜生产 异质结构 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
全文增补中
分子束外延技术 被引量:3
5
作者 杨左宸 《长春师范学院学报》 1995年第6期23-24,共2页
分子束外延(MBE)是一项外延薄膜生长技术,通过把由热蒸发产生的原子或分子束射到被加热的清洁的衬底上而生成薄膜。这种技术的发展是为了满足在电子器件工艺中越来越高的要求,即对掺杂分布可以精确控制的趋薄层平面结构的要求。利用分... 分子束外延(MBE)是一项外延薄膜生长技术,通过把由热蒸发产生的原子或分子束射到被加热的清洁的衬底上而生成薄膜。这种技术的发展是为了满足在电子器件工艺中越来越高的要求,即对掺杂分布可以精确控制的趋薄层平面结构的要求。利用分子束外延技术。 展开更多
关键词 分子外延技术 热蒸发 器件工艺 外延层 晶格失配 尺寸范围 表面迁移率 真空泵系统 横向尺寸
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俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器
6
作者 高国龙 《红外》 CAS 2010年第12期42-43,共2页
俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电... 俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电路元件又能生长高质量HgCdTe膜层的预外延制备技术制备的,其具体制备过程如下: 展开更多
关键词 分子外延技术 HGCDTE 俄罗斯科学院 红外探测器 制备技术 单片 读出集成电路 物理研究所
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分子束研究气体分子在表面吸脱附动力学
7
作者 席光康 《真空》 CAS 北大核心 2004年第4期49-54,共6页
分子束技术与表面电子谱、气体质谱分析技术相结合 ,形成分子束 -表面散射谱 ,它是研究气体 -表面相互作用动力学的有力工具。它的主要突破在于从分子 (原子 )量度来揭示诸如表面吸附、脱附、催化、腐蚀和能量适应等气体 -表面作用过程... 分子束技术与表面电子谱、气体质谱分析技术相结合 ,形成分子束 -表面散射谱 ,它是研究气体 -表面相互作用动力学的有力工具。它的主要突破在于从分子 (原子 )量度来揭示诸如表面吸附、脱附、催化、腐蚀和能量适应等气体 -表面作用过程。本文首先概述了表面吸附、脱附过程及类型 ,接着叙述了本实验室自行研制的分子束 -表面散射装置的总体设计及用来研究表面吸脱附的实验技术。 展开更多
关键词 分子束技术 表面电子谱 气体质谱分析 分子-表面散射谱 吸附-脱附动力学
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第十一届全国分子束外延学术会议征文通知(第一轮)
8
《红外》 CAS 2014年第9期F0004-F0004,共1页
会议宗旨: 全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分了束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外... 会议宗旨: 全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分了束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。 展开更多
关键词 分子外延技术 全国性学术会议 征文通知 科研人员 信息沟通 下游产业 科学技术 交流
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《真空科学与技术》第11卷(1991)总目次 被引量:1
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《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第6期416-418,共3页
关键词 真空科学 中国真空学会 真空镀膜 会议纪要 质谱仪器 分子外延技术 快速阀 低能电子衍射 薄膜技术 离子动态混合
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光调制技术及器件
10
《中国光学》 EI CAS 1996年第6期47-48,共2页
TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启... TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。 展开更多
关键词 多量子阱 自电光效应器件 光调制器 分布布喇格反射器 反射型 分子外延技术 斯塔克效应 集成光电子学 自由光效应器件 量子限制
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中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
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《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期930-930,共1页
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称“沈阳科仪”)创建于1958年,总部位于辽宁省沈阳市浑南区,是我国集成电路装备和真空仪器设备的研制、生产基地,先后组建了“国家分子束外延技术开发实验基地”“国家真空仪器装置工程技术... 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称“沈阳科仪”)创建于1958年,总部位于辽宁省沈阳市浑南区,是我国集成电路装备和真空仪器设备的研制、生产基地,先后组建了“国家分子束外延技术开发实验基地”“国家真空仪器装置工程技术研究中心”和“真空技术装备国家工程研究中心”等科研平台。 展开更多
关键词 科研平台 工程技术研究中心 中国科学院 真空仪器 分子外延技术 科学仪器 辽宁省沈阳市 开发实验
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化学教育面临的挑战及几点思考 被引量:1
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作者 魏培海 卞金祥 许青 《当代教育科学》 1998年第3期35-36,51,共3页
化学教育面临的挑战及几点思考山东省教育学院魏培海,卞金祥,许青近几十年来,化学科学及由其带动的化学工业有了突飞猛进的发展,所带来的丰富多彩的化学产品已广泛渗透到人类生活的各方面,可以说人们的衣食住行无不与之密切相关。... 化学教育面临的挑战及几点思考山东省教育学院魏培海,卞金祥,许青近几十年来,化学科学及由其带动的化学工业有了突飞猛进的发展,所带来的丰富多彩的化学产品已广泛渗透到人类生活的各方面,可以说人们的衣食住行无不与之密切相关。化学的发展同时推动了其他行业或科学... 展开更多
关键词 中学化学教育 面临的挑战 化学反应本质 现代化学 分子束技术 科学文化素质 发展概况 化学品 选择性 高中化学
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我国砷化镓单晶材料和分子束外延技术正步入产业化
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作者 盛柏桢 《半导体信息》 2003年第1期16-17,共2页
我国首家化合物半导体材料企业—中科镓英半导体有限公司,日前在北京奠基,这标志着我国半导体材料产业迈上了新台阶。一两年后,从这里生产出来的砷化镓晶片将源源不断地运送到全世界。该公司预计总投资5.8亿元人民币,1年后正式投产运行。
关键词 砷化镓 半导体工业 分子外延技术 单晶材料 设计规划 半导体硅 微电子工业 化合物半导体 雪绒 技术投入
原文传递
La_2O_3对CH_4氧化的催化机制 被引量:2
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作者 王君容 徐宏伟 邸曼丽 《燃烧科学与技术》 EI CAS CSCD 1997年第4期366-375,共10页
本文研究了La2O3对CH4氧化燃烧和氧化偶联的催化机制。实验采用的是分子束技术,以及俄歇电子能谱(AES),四极柱质谱(QMS)和X射线光电子能谱(XPS)等表面分析技术。实验结果表明CH4分子的平动能和La2O3... 本文研究了La2O3对CH4氧化燃烧和氧化偶联的催化机制。实验采用的是分子束技术,以及俄歇电子能谱(AES),四极柱质谱(QMS)和X射线光电子能谱(XPS)等表面分析技术。实验结果表明CH4分子的平动能和La2O3表面的晶格氧(O2-)是催化氧化CH4的两个关键因素。燃烧室内壁涂以稀土氧化物催化层将会提高燃烧效率和减少废气污染。 展开更多
关键词 甲烷 氧化 氧化偶联 稀土氧化物 分子束技术
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不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究 被引量:22
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作者 叶振华 胡晓宁 +3 位作者 张海燕 廖清君 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页
对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) ... 对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 。 展开更多
关键词 光伏探测器 暗电流 碲镉汞材料 异质结 分子外延技术 铟掺杂 红外探测器
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长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
16
作者 崔大复 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期18-19,共2页
随着分子束外延技术的日益成熟,以及对导带内子带间光学跃迁性质的深入研究,GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研制已引起人们的高度重视。该探测器的响应波段从8μm至14μm,具有响应速度快(皮秒量级),灵敏度高(D<sup>*</sup>... 随着分子束外延技术的日益成熟,以及对导带内子带间光学跃迁性质的深入研究,GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研制已引起人们的高度重视。该探测器的响应波段从8μm至14μm,具有响应速度快(皮秒量级),灵敏度高(D<sup>*</sup>~10<sup>10</sup>cmHz<sup>1/2</sup>/W),峰值波长可通过改变材料的生长参数(如阱宽、垒高、合金含量等)而调节的特点。 展开更多
关键词 红外探测器 量子阱探测器 GAAS/ALGAAS 分子外延技术 响应时间 焦平面列阵 生长参数 光学跃迁 峰值波长 探测率D
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红外L型探测器的数学建模
17
作者 石虎山 《红外》 CAS 2004年第2期25-27,45,共4页
简要介绍了敏感红外辐射的L型探测器的结构和工作原理。利用傅里叶级 数理论,给出了一种级数形式的数学模型,并利用MATLAB进行了仿真验证。
关键词 红外L型探测器 红外技术 红外辐射 傅里叶级数 MATLAB仿真 目标识别 分子外延技术
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半导体二维电子气研究新进展——长波红外辐射的探测
18
作者 糜正瑜 褚君浩 《自然杂志》 1991年第9期645-648,共4页
一种新型的红外探测器——超晶格量子阱红外探测器,正在有力地敲着半导体世界的大门。
关键词 长波红外 二维电子气 量子阱结构 超晶格 光跃迁 分子外延技术 焦平面 调制掺杂 量子化 响应率
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Efficient Coherent Population Transfer of D2 Molecules by Stark-induced Adiabatic Raman Passage
19
作者 汪涛 杨天罡 +2 位作者 肖春雷 戴东旭 杨学明 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期8-12,I0003,共6页
Preparation of a high flux of hydrogen molecules in a specific vibrationally excited state is the major prerequisite and challenge in scattering experiments that use vibrationally excited hydrogen molecules as the tar... Preparation of a high flux of hydrogen molecules in a specific vibrationally excited state is the major prerequisite and challenge in scattering experiments that use vibrationally excited hydrogen molecules as the target. The widely used scheme of stimulated Raman pumping suffers from coherent population return which severely limits the excitation efficiency. Re- cently we successfully transferred D2 molecules in the molecular beam from (v=0, J=0) to (v=1, J=0) level, with the scheme of Stark-induced adiabatic Raman passage. As high as 75% of the excitation efficiency was achieved. This excitation technique promise to be a unique tool for crossed beam and beam-surface scattering experiments which aim to reveal the role of vibrational excitation of hydrogen molecules in the chemical reaction. 展开更多
关键词 Stark-induced adiabatic Raman passage D2 Vibrational excitation Molecularbeam
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GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究
20
作者 张健 唐吉龙 +5 位作者 亢玉彬 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期62-68,共7页
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其... 利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其薄膜表面具有原子级平整度.利用原子力显微镜对InAs薄膜进行表征,结果显示较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度比较高Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度降低了约2.5倍.通过对不同Sb组分的三元合金InAsSb缓冲层上外延的InAs薄膜进行X射线衍射测试及对应的模拟,结果表明在较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的衍射峰半高峰宽较小,说明低Sb组分的InAsSb作为缓冲层可以降低InAs薄膜的内应力,提高InAs薄膜的结晶质量.利用光致发光光谱对高结晶质量的InAs薄膜进行发光特性研究,10 K下InAs的发光峰位约为0.418 eV,为自由激子发光. 展开更多
关键词 InAs薄膜 InAsSb缓冲层 晶格失配 晶体质量 发光特性 分子外延技术 X射线衍射
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