二次离子质谱术探讨低温分子束磊晶成长之原始及掺杂有？…

利用分子束磊晶（ＭＢＥ）物方法在低温成长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将促使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层不与含Ｂｅ之ＧａＡｓ层各３０ｎｍ，如此循环１５个周期，并在类似条件下，将掺杂杂质Ｂｅ之ＧａＡｓ层与不含Ｂｅ与ＧａＡｓ层以厚度分别为３０，４０，５０，６０。

分子束磊晶成长之ZnSeⅡ—Ⅵ族雷射二极体元件之二次离子？…

蓝光雷射二极体具有之优异特性，使其在军事与民生用途上皆有极大的潜能，因此各工业先进国家近年来多已积极投入此一研究领域。利用二次离子质谱分析由分子束磊晶法制备ＺｎＳｅ为主之Ⅱ￣Ⅵ族蓝光雷射二极体多重薄膜结构，由二次离子质谱仪分析结果与制备条件相互对比，以帮助改进元件之磊晶品质，作为建立制程技术之参考。

新竹清华大学二次离子质谱技术的研发和应用

新竹清华大学位于台北市南方７０公里处，紧邻台湾矽半导体工业集中地之新竹科学工业园区。１９９１年新竹清华大学购入一台Ｃａｍｅｃａ ＩＭＳ－４ｆ二次离子质谱仪，为台湾地区第一部开放供学术研究和工业服务用之二次离子质谱仪。本论文报道如何建立二次离子质谱分析技术以符合各种不同的需求，包括人员训练、标准品制备、研发分析方法和仪器维修。应用二次离子质谱分析技术于基础和应用研究。