超高真空荧光显微分子生长特性监测系统

将荧光显微术耦合进有机分子外延薄膜生长的超高真空之中,研制出可变温实时原位荧光显微分子生长特性监测系统。该系统将衬底/样品变温模块,快速衬底/样品装卸载结构和荧光显微术融合一体,利用自行开发的实时监测分子生长软件,可以对超高真空环境下有机分子生长实验进行基于荧光图像的形貌特性动态研究。这对于表面有机分子生长表面动力学特性分析具有重要的实践意义和科学意义。

第4代小分子表皮生长因子受体-酪氨酸激酶抑制剂研究进展

目的总结抗肿瘤药物第4代小分子表皮生长因子受体-酪氨酸激酶抑制剂(EGFR-TKIs)的研究与应用进展。方法计算机检索PubMed,SCI-hub,CNKI数据库自建库起至2022年9月第4代小分子EGFR-TKIs的相关研究文献,分析各抑制剂的抗肿瘤活性、作用位点及研究情况。结果已开展临床研究的第4代小分子EGFR-TKIs包括ES-072,TQB3804,BLU-945,其中ES-072和BLU-945治疗非小细胞肺癌安全、有效,且不良反应较轻;开展临床前研究的第4代小分子EGFR-TKIs包括EAI045,JBJ-04-125-02,BI-4020,JND3229,CH7233163,AZ7608。除ES-072外,其余抑制剂的半数抑制浓度均为纳摩尔级;作用机制为T790M,C797S,L858R,19Del等位点的二重或三重突变。结论各抑制剂的作用位点明确,但应进一步加强临床研究。

单分子生长方程在预测林分因子(g·)中的应用研究

树木的生长规律研究已从经验模型到机理模型研究阶段。本文以单分子生长模型拟合意杨林分生长规律，回归方程分析和拟合优度分析表明拟合效果较好。

原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善

利用深能级瞬态谱 (DL TS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂 Si和 Be的 Ga As同质结构样品中缺陷的电学特性 .发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低 。

沙漠绿洲多功能高分子植物生长调节剂籽瓜增产和品质改善研究

选择适合当地土壤和生态环境特点的优质高产籽瓜品种——新籽瓜1号，进行甘肃省武威市民勤沙漠绿洲多功能高分子植物生长调节剂籽瓜根部追施增产和品质改善试验研究。结果显示，施用产品不但有利于籽瓜的营养和生殖生长，增加瓜径3％～5％、提高产量11．5％，而且显著改善籽瓜的品质，提高其粗蛋白和维生素B1、B2含量。分别比对照增加1．80％和29．41％、14．29％，因而产生较好的经济效益，净增产值358．95～580．95元·hm^-2。

GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。

多功能高分子植物生长剂制备及其应用

High water absorbing resin was prepared by starch acylic acid graft copolymer,and the best condition of the technology was found by orthogonal experiment.The mechanism of graft copolymerization was discussd and the more functional polymer plant growth agents was prepared by effect microbe group in the graft copolymer resin.

干旱区小麦多功能高分子植物生长调节剂增产和品质改善试验研究

以观测记录和拍照方式研究多功能高分子植物生长调节剂对小麦生长和繁殖、品质的影响,分别用土壤含水量为试剂保水指标,小麦生长、结实和产量指标、小麦品质指标以及经济效益指标与对照比较以评定试验效果。结果显示,施用试剂能够提高土壤保水率,有利于小麦的营养和结实生长,使小麦产量提高12.30%。小麦粗蛋白、赖氨酸和湿面筋含量均有显著提升,不利于人体健康的灰分和粗脂肪含量显著降低;经济效益有所提高,仅仅考虑增产就净增产值734.25￣794.85元/hm2。

Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMnxSe垒层受到压应变，在其喇曼光谱中，仅视察到ZnSe材料光学声子峰．本文从理论上分析计算了由这种应变引起的LO峰的频率移动，结果和实验所测值符合很好．

ZnMgSSe／GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究

我们用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长一种新型的Ⅱ－Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．改变生长条件，可以控制Ｍｇ和Ｓ的组分在０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１．Ｍｇ和Ｓ的组分用俄歇电子能谱测定．用Ｘ－射线衍射技术对样品结构进行的研究发现，对任意Ｍｇ和Ｓ的组分，ＺｎＭｇＳＳｅ均为闪锌矿结构．用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明，加入Ｍｇ以后ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率比ＺｎＳＳｅ样品的折射率要小，并且ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率随民的增大而变小．合理选择ｘ、ｙ，在２．８ｅＶ＜Ｅｇ＜３．６ｅＶ均能得到与ＧａＡｓ晶格匹配的Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．

气态源分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)/Si异质结合金

采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态。在一定的生长温度下，ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金组分ｘ取决于锗烷和乙硅烷的流量比。外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关。结果表明，较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长。

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)

用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。

在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文)

氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO材料镁的组份,生长了禁带宽度可调的宽禁带材料。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20O薄膜材料的透射和吸收光谱性质,观察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20O材料的吸收边的蓝移现象等。以上说明了我们用分子束外延生长 收稿日期:2003 07 22·09· 第1期StructuralandOpticalCharacterizationofZnOandZnMgOFilmsona-planesapphiresbyMolecularBeamEpitaxy2004年设备成功的生长了高质量的氧化锌和组份渐变的ZnMgO薄膜材料。

在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe

在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料。衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件的工作性能。本文对各种衬底进行了比较,并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价。

分子束外延(MBE)生长方程标度奇异性的动力学重整化群分析

采用表面界面生长方程动力学标度奇异性的动力学重整化群理论,分析了线性和非线性分子束外延生长方程(molecular-beam epitaxy(MBE))的动力学标度奇异性.结果表明,生长方程的动力学标度性质与基底的维数d有关,只有d的取值满足一定条件时,生长方程才会出现奇异动力学标度行为,这和使用直接标度分析方法得到的结果一致.

分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。

Ge/Si超导型和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格的分子束外延生长和特性研究

用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性进行了研究。

链霉蛋白酶P、糖苷酶对低分子量肝细胞生长素生物活性的影响

目的研究链霉蛋白酶P、糖苷酶对低分子量肝细胞生长素生物活性的影响。方法用链霉蛋白酶P、N-糖苷酶F、O-糖苷酶分别对低分子量肝细胞生长素消化,观察消化后低分子量肝细胞生长素以及未经消化的低分子量肝细胞生长素和促肝细胞生长素对人肝癌细胞株QGY、HepG2、原代大鼠肝细胞的增殖作用,用3H-胸腺嘧啶核苷掺入法测定这些细胞的增殖情况。结果低分子量肝细胞生长素与促肝细胞生长素对人肝癌细胞株QGY、HepG2、原代大鼠肝细胞均有明显增殖作用(P<0.01);低分子量肝细胞生长素与促肝细胞生长素均对人肝癌细胞株QGY增殖作用最明显(P<0.01);低分子量肝细胞生长素增殖作用较促肝细胞生长素明显(P<0.01)。低分子量肝细胞生长素经链霉蛋白酶P、O-糖苷酶消化前后对人肝癌细胞株QGY、HepG2、原代大鼠肝细胞增殖作用无影响(P>0.05);低分子量肝细胞生长素经N-糖苷酶F消化后对人肝癌细胞株QGY、HepG2、原代大鼠肝细胞增殖作用明显减弱,差异有统计学意义(P<0.01)。结论低分子量肝细胞生长素促进人肝癌细胞株QGY、HepG2、原代大鼠肝细胞增殖作用比促肝细胞生长素更显著。

采用As_2和As_4模式的新型全固源InAsP分子束外延生长

在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型阀控裂解 As源炉 ,对 As2 和 As4 的生长特性进行了全面的研究 .以 As2 和 As4 两种模式 ,在 (0 0 1) In P衬底上生长了高质量的 In As P体材料和 In Asy P1 - y/ In P多量子阱样品 .材料质量用 X射线衍射 (XRD)以及室温和低温的光致发光 (PL)测定 .实验发现 ,两种模式生长的样品的晶体结构质量相当 ,但 As2 的吸附系数明显大于 As4 的吸附系数 .另外 ,用 As2 模式生长的多量子阱样品的室温光学特性优于As4 模式生长的样品 ,但在低温时 ,二者几乎相同 ,这是由 As4

射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用

研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 。