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短波长OEIC光接收机前端设计及制作
被引量:
1
1
作者
范超
陈堂胜
+5 位作者
陈辰
焦世龙
陈镇龙
刘霖
王昱琳
叶玉堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期713-717,共5页
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带...
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03~6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4~6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
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关键词
光电集成电路
光接收机前端
PIN
金属-半导体-金属
跨阻
放大器
分布参数放大器
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职称材料
题名
短波长OEIC光接收机前端设计及制作
被引量:
1
1
作者
范超
陈堂胜
陈辰
焦世龙
陈镇龙
刘霖
王昱琳
叶玉堂
机构
电子科技大学光电信息学院
单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期713-717,共5页
基金
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708)
文摘
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03~6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4~6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
关键词
光电集成电路
光接收机前端
PIN
金属-半导体-金属
跨阻
放大器
分布参数放大器
Keywords
Optoelectronic IC
Optical receiver front end
PIN
MSM
Transimpedance amplifier
Distributedamplifier
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
短波长OEIC光接收机前端设计及制作
范超
陈堂胜
陈辰
焦世龙
陈镇龙
刘霖
王昱琳
叶玉堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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