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题名侧墙倾斜的水平半导体/空气分布布喇格反射器的设计
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作者
王海龙
秦文华
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机构
曲阜师范大学物理工程学院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期225-230,共6页
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基金
曲阜师范大学博士科研启动基金资助项目(XJ0622)
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文摘
时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法,采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致,根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。
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关键词
时域有限差分
分布布喇格反射器
反射率
倾斜
干涉
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Keywords
FDTD
DBR
reflectivity
tilt
interference
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
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题名垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析
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作者
卢静
罗斌
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机构
西南交通大学信息科学与技术学院
重庆电子工程职业学院电子与物联网学院
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出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期174-178,共5页
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基金
重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ1402907)
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文摘
为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,进行了理论分析和实验验证。结果表明,等效反射率随着结构周期增加而变大,但是当周期大于25时基本不再变化;与只考虑正入射情况相比,修正后的DBR等效反射率小了2%~4%;等效反射率随着半值谱宽θ_(FWHM)增大而减小。该研究为准确计算膜堆层数对DBR等效反射率的影响提供理论指导,优化了VCSOA的工作性能。
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关键词
激光器
反射率
传输矩阵法
角频谱
垂直腔半导体光放大器
分布布喇格反射器
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Keywords
lasers
reflectivity
transfer matrix method
angular spectrum
vertical cavity semiconductor optical amplifier
distributed Bragg reflector
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名VCSEL技术及其在光互连中的应用
被引量:3
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作者
刘杰
高剑刚
李玉权
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机构
江南计算技术研究所
解放军理工大学通信工程学院
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出处
《光子技术》
2006年第1期8-12,共5页
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基金
江苏省科技厅科技发展计划资助项目(编号:BG2005011)
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文摘
垂直腔表面发射激光器(VCSELs)是并行光互连、高速光交换系统中最合适的光源。它具有易耦合、易封装和测试的优点。由于其独特的性能,可以较为方便地制作二维激光器阵列。基于VCSEL阵列的光电混合集成及并行光互连是当前的研究热点。本文介绍了VCSEL基本结构及设计中的关键技术,并对VCSEL在光互连中的应用进行了研究。
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关键词
垂直腔表面发射激光器
光互连
分布布喇格反射器
倒装焊
多芯片模块
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Keywords
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)
optical interconnect
DBR (Distributed Bragg Reflector)
flip-chip
MCM (Multi-Chip-Module)
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分类号
TN929.11
[电子电信—通信与信息系统]
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题名几何光学 光学镜头、光学零部件
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2007年第6期4-5,共2页
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关键词
自聚焦透镜
分布布喇格反射器
光学镜头
反射镜面
反射谱
像差特性
理论分析
反射光谱
自由曲面
放大倍数
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分类号
O435
[机械工程—光学工程]
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题名相位共轭、自聚焦等相关效应
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2001年第4期45-45,共1页
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文摘
O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,杜国同(吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.-2000,21(4).-266-268,275应用传输矩阵的方法研究了垂直微腔多量子阱结构的双稳态特性,计算结果表明,分布布喇格反射器(DBR)的高折射率介质紧挨着非线性介质(多量子阱结构)时更容易产生双稳态,计算了非线性法布里-珀罗腔的反射相位与入射光功率关系曲线,反射率与入射光功率的关系曲线,和作为反射镜的DBR的对数对双稳态性质的影响等。
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关键词
双稳态特性
多量子阱结构
非线性介质
特性分析
分布布喇格反射器
法布里
集成光电子学
传输矩阵
高折射率介质
光功率
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分类号
O437
[机械工程—光学工程]
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题名光调制技术及器件
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出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第6期47-48,共2页
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文摘
TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。
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关键词
多量子阱
自电光效应器件
光调制器
分布布喇格反射器
反射型
分子束外延技术
斯塔克效应
集成光电子学
自由光效应器件
量子限制
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分类号
TN761
[电子电信—电路与系统]
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