低调谐增益变化的10 GHz电感电容式压控振荡器设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低调谐增益。三位开关电容阵列将整个可调频率范围分为8个子频带,通过控制可变电容实现子频带内频率的调谐范围。同时采用开关可变电容阵列,有效抑制了电感电容式压控振荡器调谐增益的变化。基于1P6M 0.18μm工艺模型的后仿真结果显示该10 GHz压控振荡器调谐增益变化率表现优异,低至21.5%,调谐频率范围为9.13~11.15 GHz,同时该压控振荡器能够实现较低的直流功耗9 mW(1.8 V电源电压),相位噪声在10 GHz时为-105 dBc/Hz@1 MHz。

UHF RFID阅读器中恒定调谐增益LC-VCO设计

设计了一种应用于UHFRFID阅读器的恒定调谐增益LC-VCO。VCO采用互补交叉耦合结构实现较高电源利用效率，偏置电路采用电压调节结构有效抑制电源引入的噪声。提出创新的分布式偏置容抗管阵列，以实现恒定调谐增益。电路采用TSMCO．18μmCMOSRF工艺设计。仿真结果表明，VCO的频率调谐范围为1．61～2．03GHz，在1MHz频偏处，相位噪声为-127dBc／Hz，电源电压1．8V，电路消耗的总电流为3．4mA。电路在保证低相位噪声和低电源噪声灵敏度的同时，工作频带内调谐增益的变化控制在±7%以内。