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太赫兹辐射FET功率探测器的分布式准静态模型
1
作者
张永锋
张淑芳
+1 位作者
王森
丛国涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第3期214-220,共7页
以经典FET准静态模型为基础,提出了FET分布式准静态模型,并推导出栅源耦合NMOS FET太赫兹辐射功率探测器的微分方程及其解析解。应用该模型计算得到的直流电压响应与集总模型和水动力模型的计算结果一致;与集总模型相比,泄漏长度偏差小...
以经典FET准静态模型为基础,提出了FET分布式准静态模型,并推导出栅源耦合NMOS FET太赫兹辐射功率探测器的微分方程及其解析解。应用该模型计算得到的直流电压响应与集总模型和水动力模型的计算结果一致;与集总模型相比,泄漏长度偏差小于3.5%;与水动力模型相比,输入阻抗偏差小于10%,明显优于集总模型,且新的输入阻抗表达式不包含任何拟合系数,形式更加简单实用。该模型将经典FET准静态模型推广到太赫兹频段,并降低太赫兹频段FET电路仿真工具的开发成本。
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关键词
分布式准静态模型
场效应管
太赫兹辐射功率探测器
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职称材料
题名
太赫兹辐射FET功率探测器的分布式准静态模型
1
作者
张永锋
张淑芳
王森
丛国涛
机构
大连海事大学信息科学与技术学院
大连东软信息学院智能与电子工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第3期214-220,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61231006)
辽宁省自然科学基金资助项目(20180551028)。
文摘
以经典FET准静态模型为基础,提出了FET分布式准静态模型,并推导出栅源耦合NMOS FET太赫兹辐射功率探测器的微分方程及其解析解。应用该模型计算得到的直流电压响应与集总模型和水动力模型的计算结果一致;与集总模型相比,泄漏长度偏差小于3.5%;与水动力模型相比,输入阻抗偏差小于10%,明显优于集总模型,且新的输入阻抗表达式不包含任何拟合系数,形式更加简单实用。该模型将经典FET准静态模型推广到太赫兹频段,并降低太赫兹频段FET电路仿真工具的开发成本。
关键词
分布式准静态模型
场效应管
太赫兹辐射功率探测器
Keywords
distributed quasi-static model
field effect transistor
terahertz radiation power detector
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
太赫兹辐射FET功率探测器的分布式准静态模型
张永锋
张淑芳
王森
丛国涛
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
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