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一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析 被引量：3
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作者 余振兴 冯军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期405-411,共7页
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频... 本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W. 展开更多
关键词 分布式混频器 宽中频 栅注入混频器(GPM) 功率合成 毫米波(MMW)
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