基于分布格模型的英语词类习得研究

本文采用新型的词类学习模型—分布格学习模型,考察分布特征对词类习得的影响。分布格是以词的分布特征相似性为基础的一种分析模型。本文选取英语儿童语料库Brent中100个高频词和500个高频语境作为学习对象,通过该模型计算100个高频词的分布特征相似性并进行分类,生成一系列词类。研究发现,分布格学习模型可以准确地生成名词、动词、形容词、代词、副词等一系列常见的词类,总体准确率为90%,其中动词的准确率高达94%,进一步验证分布特征在词类形成中发挥着重要作用。

分布布喇格反射镜的反射特性

采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定。实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出。非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。

基于格分布方差的多目标云工作流调度算法

提出了基于格分布方差的多目标云工作流调度算法和差粒子自学习策略。首先,考虑任务调度的特性,进行粒子编码离散化。其次,利用Pareto最优工作流调度解集映射到自适应网格坐标系的策略,计算网格坐标系中每个Pareto最优解的格分布量。再次,采用格分布方差评估当前Pareto前端的多样性程度,并动态调整进化策略。最后,设计了差粒子自学习策略。仿真实验表明,通过该算法得到的工作流调度解集,在IGD和S性能指标上均优于MOPSO算法,在最优值方面优于ε-FDPSO和NSGA-Ⅱ算法。

MOCVD-Ga_(0.4)In_(0.6)As_(0.85)P_(0.15)/InP分布布喇格反射镜的反射率

采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系。根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%。利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,15,19,23的分布布喇格反射镜(DBR)。实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.85的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面。反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为54.44%,与理论结果尚存在一定差距。

基于语义异构数据库的概念格分布式构造算法研究

语义异构是异构信息系统处理的难点.在研究相关领域的算法和理论的基础上,提出了一种解决异构数据库下概念格的分布式构造算法,该算法对每个分系统构造分系统的变精度概念格,通过变精度概念格与Ontology中的概念格做一一映射的方式产生局部Ontology,从而使局部本体能够自动、半自动地生成.将生成的局部本体合并得到全局本体之后,由全局本体映射为主概念格,进而实现语义异构数据库的概念格的分布式构造.最后,以现有的异构数据库生成的主概念格为标准,比较了主概念格与标准主概念格之间的差异,分析了该算法的可行性和科学性.

侧墙倾斜的水平半导体/空气分布布喇格反射器的设计

时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法,采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致,根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。

用客观分析方法生成海洋要素格点分布场

海洋资料的客观分析是海洋研究及制图过程中非常重要的一个步骤,它可以弥补种种原因造成的实测资料误差及缺测,并滤掉噪声成分。好的客观分析方法获得的要素格点分布场,能较客观地反映出要素的真实分布。本文采用Levitus方法及Laplacian插值法对风场、动力高度偏差、热比容和盐比容资料作了分析。由于正确地分析了诸要素的分布特征,根据方法的要求合理地选取了有关参数,因而所得结果较为理想,基本能满足海洋环境趋势分析研究的需要。

2—度量格

引入2-度量格的概念,建立了2——度量格是模格以及2-度量格是分布格的充分必要条件,证明2-度量格的乘积仍是一个2-度量格。

MOCVD-Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InPDBR结构的晶格振动

利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。

一维无迭代自适应网格技术在Burgers方程中的应用

基于变分原理的自适应网格技术需用迭代法求解 ,非常耗时 .故提出了一种新的自适应网格技术 ,根据权函数曲线下面积相等的原则 ,重新分布格点位置 ,一步到位 ,无需迭代 ,大大提高了自适应网格技术的效率 .利用具有解析解的一维Burgers方程对这一新技术进行验证 ,发现它能根据不同的权函数确定不同的格点分布 ;对同一种权函数 ,当其随时间变化时 ,对应的格点分布也相应变化 .研究表明 :该技术能根据问题的求解 ,在解的大梯度区自动加密网格 ,从而可计算出激波 .

空间桁架横梁分布式光纤变形监测与误差修正

空间桁架结构是一种具有低频、密模、非线性等复杂动力学特征的大型挠性空间结构,针对此类结构服役状态的智能辨识对于目前开展高轨深空探测研究具有重要意义。为此,该文提出了一种基于分布式光纤光栅传感技术的空间桁架横梁结构变形监测与反演方法。借助ANASYS有限元分析法,数值模拟得到横梁结构在不同载荷作用下的应变、位移分布特征,研究了基于位移算法的桁架横梁结构变形反演算法,计算得到空间桁架结构不同位置的挠度信息。在此基础上,构建了单边固支桁架横梁分布式光纤变形监测与反演系统,平均相对误差约为2.4%。最后,提出了一种用于横梁结构变形反演精度提升的误差分离修正方法,修正后平均相对误差下降了41.7%。研究结果表明,该文所提方法具有精度高,实时性好等优点,能为及时准确获取空间桁架结构展开形态,实现桁架形态自适应调节与主动控制提供有力保障。

基于氮化镓集成光电子芯片的单通道全双工可见光通信系统

为了应对新一代通信技术频谱危机,根据量子阱二极管发光谱和探测谱存在重叠区的物理现象,提出一种基于氮化镓集成光电子芯片的单通道全双工可见光通信系统。采用具有相同量子阱结构的一对蓝光、绿光氮化镓量子阱二极管器件,分别作为光发射器和光接收器,器件集成TiO_(2)/SiO_(2)分布式布喇格反射镜(DBR),将入射光和发射光隔离,实现单通道全双工光通信。测试结果表明,该可见光通信系统通过集成氮化镓光电子芯片,节约了信道空间,对面向未来6G的可见光通信技术的发展具有重要意义。

1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·

微腔有机发光器件中的电致发光光谱(英文)

设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。

提高发光二极管(LED)外量子效率的途径

发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术。对比了每种方法的发展过程及效率。

SESAM实现脉冲式Nd∶YAG激光器的被动锁模特性研究

为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd∶YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2ps,脉冲序列的能量为24m J,实验中采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单、易于调整。理论上分析了1.06μm半导体可饱和吸收镜结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中布喇格反射层不同周期时对应的反射谱图以及不同周期时中心频率处布喇格反射层的反射率曲线。结果表明,随着布喇格反射层周期数的增加,其中心波长处的反射率也随着增加。当周期数大于13时,其中心波长反射率超过99%。半导体可饱和吸收镜是实现Nd∶YAG激光器的被动锁模的理想锁模器件。

光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展

介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。

N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响

根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法·

DBR掺镱光纤激光器激射波长的研究

对基于一少量模光纤光栅和一普通光纤光栅的分布布喇格反射掺镱光纤激光器的激射波长进行了详细研究通过对普通布喇格光栅的中心波长进行调谐,发现激射波长始终是由两光栅卷积的最大值所确定的等效反射峰值相对光栅反射峰值的偏移以及激射波长相对等效反射峰值的偏移两种机理共同决定的。

他称代词的指示用法初探

本文主要涉及三个方面的内容 :1 .他称代词的基本功能是指示兼区别。 2 .根据格分布的位置区分出他称代词的两种用法 :指示用法和称代用法。 3.他称代词在不同格位上 ,“的”字隐现的情况不尽一致。