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纳米硅薄膜分形凝聚模型
被引量:
11
1
作者
林鸿溢
余卫武
+1 位作者
武旭辉
何宇亮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期567-573,共7页
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用...
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.
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关键词
纳米硅薄膜
分形凝聚模型
半导体薄膜
薄膜
下载PDF
职称材料
分形论在材料科学中的应用
被引量:
8
2
作者
林鸿溢
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期5-9,共5页
介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、...
介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、纳米半导体分形生长和断裂面的分形性质。
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关键词
分形
论
材料科学
分形凝聚模型
下载PDF
职称材料
题名
纳米硅薄膜分形凝聚模型
被引量:
11
1
作者
林鸿溢
余卫武
武旭辉
何宇亮
机构
北京理工大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期567-573,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.
关键词
纳米硅薄膜
分形凝聚模型
半导体薄膜
薄膜
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
分形论在材料科学中的应用
被引量:
8
2
作者
林鸿溢
机构
北京理工大学电子工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期5-9,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、纳米半导体分形生长和断裂面的分形性质。
关键词
分形
论
材料科学
分形凝聚模型
Keywords
fractal theory,materials science,fractal aggregation model
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅薄膜分形凝聚模型
林鸿溢
余卫武
武旭辉
何宇亮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
11
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职称材料
2
分形论在材料科学中的应用
林鸿溢
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
1994
8
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职称材料
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