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用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能
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作者 卢殿通 黄栋 HEINER RYSSEL 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期185-188,共4页
采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应进行了分析测量 .测量结果表明 :分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□ 和较高的载流子迁移率 .... 采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应进行了分析测量 .测量结果表明 :分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□ 和较高的载流子迁移率 .实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能 .对实验结果和机理进行了解释 . 展开更多
关键词 离子注入 分步注入 霍耳效应测量 电学性能 SOI-SIMNI 薄膜
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