期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型
被引量:
1
1
作者
方健
李肇基
张波
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期207-210,214,共5页
提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。
关键词
SOI
RESURF
电场分布
解析模型
缓冲层
分段变掺杂
智能功率集成电路
下载PDF
职称材料
题名
有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型
被引量:
1
1
作者
方健
李肇基
张波
机构
电子科技大学微电子所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期207-210,214,共5页
基金
国家"十五"预先研究资助项目(41308020405)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439020103DZ0201)
文摘
提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。
关键词
SOI
RESURF
电场分布
解析模型
缓冲层
分段变掺杂
智能功率集成电路
Keywords
SOI
RESURF structure
Step doping profile
Analytical model
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型
方健
李肇基
张波
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部