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有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型 被引量:1
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作者 方健 李肇基 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期207-210,214,共5页
 提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。
关键词 SOI RESURF 电场分布 解析模型 缓冲层 分段变掺杂 智能功率集成电路
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