期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
1
作者
温锦生
刘超
+1 位作者
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0...
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
展开更多
关键词
分电极酸性化学镀
Cu基板
TiN/Ti/SiO2/Si基板
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
1
作者
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
机构
清华大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期324-328,共5页
文摘
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。
关键词
分电极酸性化学镀
Cu基板
TiN/Ti/SiO2/Si基板
集成电路
Keywords
acid-based chemical plating
Cu substrate
TiNi/Ti/SiO2/Si substrate
IC
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
温锦生
刘超
钟声
杨志刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部