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一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
1
作者
何俊卿
乔明
任敏
《电子与封装》
2020年第5期56-59,共4页
介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加。
关键词
Buffer层
分离栅vdmos
MEDICI
功率优值
下载PDF
职称材料
题名
一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
1
作者
何俊卿
乔明
任敏
机构
电子科技大学
出处
《电子与封装》
2020年第5期56-59,共4页
文摘
介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加。
关键词
Buffer层
分离栅vdmos
MEDICI
功率优值
Keywords
Buffer layer
split-gate
vdmos
Medici
power figure of merit
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
何俊卿
乔明
任敏
《电子与封装》
2020
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