期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
1
作者 何俊卿 乔明 任敏 《电子与封装》 2020年第5期56-59,共4页
介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加。
关键词 Buffer层 分离栅vdmos MEDICI 功率优值
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部