太赫兹GaAs肖特基二极管模型建立与仿真

太赫兹肖特基二极管的建模是设计太赫兹倍频器的首要任务,模型建立准确与否关系着太赫兹倍频器的整体性能。根据GaAs半导体掺杂理论给出二极管n层和n++层的电导率,通过低频仿真并结合经验公式给出R s值。在此基础上对二极管的整体模型进行分离管芯,把二极管的线性区和管芯的非线性区分别放到HFSS软件和ADS软件中进行仿真,将线性区仿真的S参数导入到ADS软件中构成完整的模型。建立好的完整模型进行188 GHz二次倍频仿真验证,输出结果对奇次谐波抑制明显,倍频损耗为5 dB。