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分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型和参数辨识方法
被引量:
14
1
作者
万萌
应展烽
张伟
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第12期2477-2488,共12页
分立型功率MOSFET是一类重要的电力电子器件,结温估计对于其安全运行具有重要意义。传统结温估计模型将功率器件壳温测量值作为解算的边界条件,对温度传感器安装可靠性要求较高,故当其应用于体积小巧的分立型功率MOSFET时,所得结温估计...
分立型功率MOSFET是一类重要的电力电子器件,结温估计对于其安全运行具有重要意义。传统结温估计模型将功率器件壳温测量值作为解算的边界条件,对温度传感器安装可靠性要求较高,故当其应用于体积小巧的分立型功率MOSFET时,所得结温估计结果容易因传感器脱落而不可靠。为此,该文提出针对分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型。该模型利用较易测量的功率器件环境温度作为边界条件,计及非线性热对流和热辐射作用,有效描述器件与环境之间的换热过程。为克服模型热参数难以获取问题,提出模型参数的辨识方法,证明了辨识目标函数的凸函数特性。利用原对偶内点法,获得参数辨识的全局最优解,有效确定模型热参数。相关实验表明,所提模型能够在壳温测量不可靠时,提高分立型功率MOSFET结温工程估计的可靠性。
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关键词
分立型功率器件
结温估计
非线性热网络模
型
参数辨识
原对偶内点法
下载PDF
职称材料
(三)新一代ISOPLUS247TM功率封装简介
2
《电源世界》
2004年第4期63-64,共2页
IXYS公司发明了一种新的、可用于所有分立型功率半导体器件的绝缘塑料壳封装,这将改变功率器件安装到散热器上的方式。新的ISOPLUS247^TM内部绝缘的装配片可以达到2500V(有效值)的绝缘等级。这种封装的尺寸与标准的JEDEC TOI247相同,...
IXYS公司发明了一种新的、可用于所有分立型功率半导体器件的绝缘塑料壳封装,这将改变功率器件安装到散热器上的方式。新的ISOPLUS247^TM内部绝缘的装配片可以达到2500V(有效值)的绝缘等级。这种封装的尺寸与标准的JEDEC TOI247相同,并且使用表面压装配,没有装配螺丝孔。如图1所示,原先的铜导线结构已换成直接铺铜(DCB)的铝基板,这将具有高热传导性和高电气绝缘(2500V)。
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关键词
分立
型
功率
半导体
器件
ISOPLUS247^TM
封装
功率
器件
高压绝缘装配系统
原文传递
题名
分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型和参数辨识方法
被引量:
14
1
作者
万萌
应展烽
张伟
机构
南京理工大学能源与动力工程学院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第12期2477-2488,共12页
基金
国家自然科学基金青年基金(51607091)
智能电网保护和运行控制国家重点实验室开放基金课题(SGNR0000GZJS1705881)资助项目
文摘
分立型功率MOSFET是一类重要的电力电子器件,结温估计对于其安全运行具有重要意义。传统结温估计模型将功率器件壳温测量值作为解算的边界条件,对温度传感器安装可靠性要求较高,故当其应用于体积小巧的分立型功率MOSFET时,所得结温估计结果容易因传感器脱落而不可靠。为此,该文提出针对分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型。该模型利用较易测量的功率器件环境温度作为边界条件,计及非线性热对流和热辐射作用,有效描述器件与环境之间的换热过程。为克服模型热参数难以获取问题,提出模型参数的辨识方法,证明了辨识目标函数的凸函数特性。利用原对偶内点法,获得参数辨识的全局最优解,有效确定模型热参数。相关实验表明,所提模型能够在壳温测量不可靠时,提高分立型功率MOSFET结温工程估计的可靠性。
关键词
分立型功率器件
结温估计
非线性热网络模
型
参数辨识
原对偶内点法
Keywords
Discrete power devices
junction temperature estimation
nonlinear thermal network model
parameter identification
primal-dual interior point method
分类号
TM46 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
(三)新一代ISOPLUS247TM功率封装简介
2
机构
深圳市鹏源电子有限公司
出处
《电源世界》
2004年第4期63-64,共2页
文摘
IXYS公司发明了一种新的、可用于所有分立型功率半导体器件的绝缘塑料壳封装,这将改变功率器件安装到散热器上的方式。新的ISOPLUS247^TM内部绝缘的装配片可以达到2500V(有效值)的绝缘等级。这种封装的尺寸与标准的JEDEC TOI247相同,并且使用表面压装配,没有装配螺丝孔。如图1所示,原先的铜导线结构已换成直接铺铜(DCB)的铝基板,这将具有高热传导性和高电气绝缘(2500V)。
关键词
分立
型
功率
半导体
器件
ISOPLUS247^TM
封装
功率
器件
高压绝缘装配系统
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型和参数辨识方法
万萌
应展烽
张伟
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
14
下载PDF
职称材料
2
(三)新一代ISOPLUS247TM功率封装简介
《电源世界》
2004
0
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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