湿法刻蚀调节分裂栅存储器的浮栅层形貌研究

随着分裂栅存储器器件尺寸的不断减小,理想浮栅层形貌的获得越来越具有技术挑战性。在实际生产过程中,经常会发生浮栅层存在空洞缺陷的问题。结合第三代分裂栅存储器40 nm浮栅层制造工艺,分析了浮栅层出现空洞的原因。在分步刻蚀的工艺流程下,对磷酸使用两次小换酸的方式,解决了浮栅层存在空洞缺陷的问题。通过工艺优化,得到理想浮栅层形貌所需要的湿法刻蚀工艺中磷酸和氢氟酸的使用量。

嵌入式闪存器件技术进展

首先介绍了嵌入式闪存器件的基本工作原理,并根据具体的技术特点和应用整理归纳出了嵌入式闪存器件的三种主流单元结构:单晶体管器件结构、分裂栅器件结构和选择晶体管加存储晶体管的两管器件结构,然后详细分析和比较了这三种器件结构的优缺点。接着进一步重点介绍嵌入式闪存器件近年来的最新发展,列举了传统浮栅器件在65 nm技术代的先进解决方案,并讨论了融合分立电荷陷阱存储概念的新型SONOS和纳米晶存储技术,介绍了该类型技术较之传统浮栅结构的突出优势以及目前的研究进展。最后,对嵌入式闪存技术在32 nm以下节点将遭遇的瓶颈以及进一步发展方向进行分析和展望,给出了可能的解决方案。