集成电路掩模分辨率增强技术

随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法。

反转光刻对分辨率增强技术的新威胁

当Luminescent Technologies公司在2005年的光掩膜技术会议上首次向半导体业界展示其独特的光刻增强产品时，与会人士提出了许多关于可制造性的问题。当时，大约在一年半以前，这个初创公司声称它的反转式光刻技术（Inverse Lithography Technology．ILT）能够突破性地取代分辨率增强技术（RET）软件，并展示了它们在65nm工艺的成果。虽然他们与SMIC、UMC、Xilinx和Cypress等不同合作伙伴发表了多篇相关论文，但似乎并非人人都接受这个想法。

45nm分辨率增强技术优化

针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、衰减式相移掩模及传统二元掩模进行分析,探讨了45nm节点不同周期图形的可实现性。通过优化光源参数,采用Y偏振,对比不同分辨率增强技术的组合,得出结论,采用双弧带照明,对于Y向Line/Spcae图形,其焦深,对比度等参数均可满足45 nm节点需要。最后通过双底层抗反射层(DBARC)优化,减小了底层反射率,有效地降低了摇摆效应,提高了Z向图形保真度。

Fourier变换光谱学的一种光谱分辨率增强方法

本文提出了一种基于特征值分析与线性拟合 (EALF)的超分辨率谱估计方法。其实质是在光谱的Fourier变换域内进行信号处理 ,以使复原谱的分辨率突破仪器函数的限制。EALF由总体最小二乘参数估计、特征值分析频率估计和最小二乘拟合振幅估计三个步骤来实现。本文将介绍EALF谱估计的原理 ,通过仿真实验验证原理的正确性 ,讨论关键技术 ,并总结EALF相对于其他Fourier变换光谱分辨率增强技术的主要优点。

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.

光刻与微纳制造技术的研究现状及展望

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。

采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅

介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。

亚65nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。

超精细图案光刻技术的研究与发展

根据国内外研究和发展现状 ,对有望突破 1 0 0nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述 ,其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统改进和以离轴照明、相位移掩模、多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等。

双重图形技术的优化设计

作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。

集成电路光刻过程中的ECO技术

在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所涉及到的反向修正技术为例,介绍了几种目前产业界所主要采用(或即将采用)的方法,并为此提出了几个目前所亟待解决的问题。

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)(英文)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。

RET的研究与应用:实现光刻技术的新跨越

现在,国家科技部正在组织实施"十五"863计划"100nm分辨率193nm ArF准分子激光器步进扫描投影光刻机"重大项目的研制与攻关。

光刻机投影物镜波像差检测技术研究新进展

本刊讯光刻机投影物镜波像差是影响步进扫描投影光刻机性能的重要指标，直接影响光刻机成像质量、光刻分辨率以及关键尺寸均匀性等关键参数。随着分辨率增强技术的不断进步和发展，光刻机投影物镜的数值孔径（NA）正逐步逼近其制造极限，这就要求波像差检测精度达到2mλ，

亚波长光刻技术与IC设计

亚波长光刻当集成电路产业在1999年开始跨进0.18um特征尺寸阶段时,它也就进入了光刻工艺技术的亚波长时期。在此时期领先的集成电路制造商生产的器件,其特征尺寸短于光刻爆光的光波波长。正如图1所示,0.18um和0.

喷墨打印机墨盒技术(二)

一、墨盒的结构 不同的生产厂商在墨盒结构设计方面,有着不同的理念,这些不同的设计结构反映出来的使用功效也是完全不同的.从现在市场上的墨盒产品来看,当前的墨盒在组成结构上,总的来说可分为分体式墨盒和一体式墨盒这两大类,它们各有所长.

三大技术提高打印质量

在日常的办公应用中,打印机是最普及的办公助手。随着人们对于办公中的特殊文本打印的要求越来越多,例如在打印彩色文本的计划书或者数量较少的公司简介的时候,彩色激光打印机成为了首要选择。