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题名平台式FPGA中可重构存储器模块的设计
被引量:2
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作者
段会福
于芳
陈陵都
刘忠立
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机构
中国科学院半导体研究所
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出处
《微计算机信息》
北大核心
2008年第2期191-193,共3页
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文摘
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能。本文设计了一款深亚微米工艺下的16-kb的高速,低功耗双端口可重构SRAM。它可以重构成16Kx1,8Kx2,4Kx4,2Kx8,1Kx16和512x32六种不同的工作模式。基于不同的配置选择,此SRAM可以配置为双端口SRAM,单端口SRAM,ROM,FIFO,大的查找表或移位寄存器,本文完整介绍了该SRAM的设计方法,重点介绍了一种新颖的存储单元电路结构:三端口存储单元,以及用于实现可重构功能的电路的设计方法。
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关键词
静态存储器
可重构
三端口存储单元
列选择器
灵敏放大器
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Keywords
SRAM
reconfigurable
Tri-port memory cell
column mux
sense amplifier
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分类号
TN791
[电子电信—电路与系统]
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