68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块

利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1 200μm,条宽200μm,填充密度为50%,前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,室温连续输出功率达到68.5 W,器件光谱中心波长为1 059 nm,光谱宽度(FWHM)为9 nm。

高效率1.06μm波段大功率半导体激光列阵模块

采用InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法,制作出高效率大功率1.06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1 200μm,条宽200μm,填充密度为50%;室温连续输出功率为50.2 W时光电转换效率达到56.9%。

无铝大功率激光器列阵研制成功

由中科院长春光机所承担的“808nm百瓦级连续波无铝量子阱迭阵激光器研制”项目通过了鉴定。该项目在国际上首次采用光源成像调节技术，实现了五个高功率激光器bar组成的激光器线阵(5bar)光束共线，研制出了连续输出217W、光谱半宽为2．5mm、5bar共线性好的激光列阵模块，达到国际先进水平。