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低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷
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作者 刘长菊 苏未安 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期782-787,共6页
研究了V2O5对Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,添加1%~8%的V2O5,能使该陶瓷的烧结温度降低到1000~1050℃而对其微波介电性能的影响很小,材料的主晶相为有序型刚玉结构的Mg4Nb2O9,存在Mg4Nb2O6和Mg5Nb4O1... 研究了V2O5对Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,添加1%~8%的V2O5,能使该陶瓷的烧结温度降低到1000~1050℃而对其微波介电性能的影响很小,材料的主晶相为有序型刚玉结构的Mg4Nb2O9,存在Mg4Nb2O6和Mg5Nb4O15杂相而没有检测到V2O5的存在。陶瓷的密度对微波介电性能起着决定性作用,介电常数εr与密度成线性关系(在99.99%的置信限内,其相关系数为0.98252),Q·f值与密度的关系较复杂。添加1%的V2O5,将Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度降低到了1050℃,得到了εr=12.72,Q·f=151040GHz的优异性能。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 低温烧结Mg4Nb2O9 刚玉型晶体结构 助熔剂V2O5
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