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O_2/Si(100)非重构表面相互作用过程的准经典轨迹研究
1
作者
周立新
沈学英
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第4期249-256,共8页
采用准经典轨迹计算方法对双原子分子O2与非重构Si(100)理想表面的散射过程进行了动力学研究。计算结果解释了氧分子与半导体表面相互作用中的能量传递机理,验证了前面工作所得到的LEPS半经验模型势的合理性。
关键词
初始吸附几率
非弹性散射
解析
吸附
硅分子
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职称材料
题名
O_2/Si(100)非重构表面相互作用过程的准经典轨迹研究
1
作者
周立新
沈学英
机构
清华大学电子工程系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第4期249-256,共8页
文摘
采用准经典轨迹计算方法对双原子分子O2与非重构Si(100)理想表面的散射过程进行了动力学研究。计算结果解释了氧分子与半导体表面相互作用中的能量传递机理,验证了前面工作所得到的LEPS半经验模型势的合理性。
关键词
初始吸附几率
非弹性散射
解析
吸附
硅分子
Keywords
Initial sticking probability, Inelastic scattering, Dissociative adsorption, Energy transfer
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
O_2/Si(100)非重构表面相互作用过程的准经典轨迹研究
周立新
沈学英
《真空科学与技术》
CSCD
1996
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