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O_2/Si(100)非重构表面相互作用过程的准经典轨迹研究
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作者 周立新 沈学英 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第4期249-256,共8页
采用准经典轨迹计算方法对双原子分子O2与非重构Si(100)理想表面的散射过程进行了动力学研究。计算结果解释了氧分子与半导体表面相互作用中的能量传递机理,验证了前面工作所得到的LEPS半经验模型势的合理性。
关键词 初始吸附几率 非弹性散射 解析吸附 硅分子
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