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一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器
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作者 王棋 张颖 《中国集成电路》 2023年第9期20-22,29,共4页
为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空... 为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。 展开更多
关键词 DRAM 刷新控制方法 刷新控制
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