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极紫外波段变栅距光栅刻槽密度变化及光谱分辨能力分析 被引量:7
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作者 李文昊 姜岩秀 +2 位作者 吴娜 张桐 王鹍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1094-1099,共6页
针对应用于50~150 nm波段的变栅距光栅,采用球面波曝光系统进行优化设计,分析了不同宽度光栅的刻槽密度变化和光谱分辨能力。理论分析结果表明,光栅宽度为4 mm时,理论分辨能力高于14 000;光栅宽度为10 mm时,理论分辨能力约为9 000;光栅... 针对应用于50~150 nm波段的变栅距光栅,采用球面波曝光系统进行优化设计,分析了不同宽度光栅的刻槽密度变化和光谱分辨能力。理论分析结果表明,光栅宽度为4 mm时,理论分辨能力高于14 000;光栅宽度为10 mm时,理论分辨能力约为9 000;光栅宽度为30 mm时,理论分辨能力急剧下降,约为3 000。光栅的宽度越大,其刻槽弯曲程度就越大,光栅的光谱分辨能力就越低,因此球面波曝光系统只适合制作宽度较小的变栅距光栅。 展开更多
关键词 变栅距光栅 球面波 刻槽密度 光谱分辨能力
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