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深硅槽开挖工艺
被引量:
1
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作者
李祥
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第2期39-43,共5页
本文介绍了硅槽应用,即硅槽隔离和硅槽电容,对器件性能的改善。并介绍了硅槽隔离和硅槽电容的形成步骤及硅槽刻蚀剖面的形貌控制,CBrF_3刻蚀硅槽侧壁保护层的形成等等。
关键词
硅槽
刻蚀剖面
刻蚀
工艺
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
深硅槽开挖工艺
被引量:
1
1
作者
李祥
机构
中国华晶电子集团公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第2期39-43,共5页
文摘
本文介绍了硅槽应用,即硅槽隔离和硅槽电容,对器件性能的改善。并介绍了硅槽隔离和硅槽电容的形成步骤及硅槽刻蚀剖面的形貌控制,CBrF_3刻蚀硅槽侧壁保护层的形成等等。
关键词
硅槽
刻蚀剖面
刻蚀
工艺
集成电路
Keywords
Silicon trench, Etching profile, Etching process
分类号
TN405.981 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
深硅槽开挖工艺
李祥
《微电子学》
CAS
CSCD
1993
1
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职称材料
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