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金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策
被引量:
1
1
作者
尤美琳
朱亦鸣
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期176-181,共6页
集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电...
集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。
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关键词
AlSiCu互连
刻蚀后残留物
清洗
空洞
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职称材料
题名
金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策
被引量:
1
1
作者
尤美琳
朱亦鸣
机构
上海交通大学微电子学院
上海先进半导体制造股份有限公司工艺集成部
上海理工大学教育部光学仪器与系统工程研究中心
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期176-181,共6页
基金
上海市科委纳米技术专项资助项目(0952nm02400)
上海市科委浦江人才计划资助项目(09PJ1407800)
+2 种基金
上海市教育委员会科研创新资助项目(11YZ117)
国家教育部博士点新教师基金资助项目(20093120120007)
教育部留学回国科研启动基金资助项目
文摘
集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。
关键词
AlSiCu互连
刻蚀后残留物
清洗
空洞
Keywords
AlSiCu interconnect
etch residue
cleaning
holes
分类号
TN305.96 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策
尤美琳
朱亦鸣
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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职称材料
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