硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究

采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。

微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状

随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。

SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究

10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC外延生长工艺要求。4°4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响。采用1 620℃HCl气体刻蚀衬底5min,1 600℃外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成。通过刻蚀工艺,以平均55.2μm/h的外延速率生长了平均55.2μm厚的高质量4H-SiC外延层,三角缺陷数量<1个/cm2,表面粗糙度0.167nm。

专题典型微加工刻蚀工艺模拟方法及其分析

在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻蚀模拟等典型的刻蚀工艺模拟的方法,综合分析了这些方法的特点、应用场合和不足,提出了提高刻蚀工艺模拟精度和效率的技术途径。

铝-RIE刻蚀工艺

干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。

单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究 ,介绍氟化物反应离子刻蚀机理 .对CF4 和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析 ,总结出刻蚀优化工艺条件 ,解决了刻蚀中存在的工艺难题 .试验表明 ,在CF4 加O2 的优化工艺条件下 ,其刻蚀具有良好的各向异性和较高的重复性 。

反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究

本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在 IC的制造过程中 ,由于工艺的随机扰动 ,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化 .论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对 IC版图影响的基础上 ,提出了基于工艺偏差影响的 IC关键面积计算新模型和实现方法 .

电子回旋共振CF_4+O_2等离子体中Si_3N_4刻蚀工艺研究

在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。

980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺

为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并分析电感耦合等离子刻蚀对脊波导与腔破坏凹槽表面形貌的影响.研究结果表明,选择配比为NH_3·H_2O∶H_2O_2∶H_2O=1∶1∶50的腐蚀液进行湿法腐蚀,刻蚀速率约为7nm/s,速率容易控制.且样品表面具有较好的粗糙度和均匀性,利用电感耦合等离子刻蚀得到的脊波导与腔破坏凹槽侧壁陡直度良好,没有出现横向钻蚀的情况.

聚合物薄膜的大气压微等离子体射流无掩膜刻蚀工艺

为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压、工作间距和刻蚀时间等工艺参数对刻蚀线宽和刻蚀深度的影响。结果表明:增大O_(2)流量、工作电压、工作间距及刻蚀时间均能增大刻蚀线宽和刻蚀深度;持续增大上述工艺参数,刻蚀线宽和刻蚀深度增加不明显,甚至减小;工作电压和工作间距对parylene-C薄膜刻蚀效果的影响较大,在刻蚀过程中起关键作用,通过调整这两个参数可实现聚合物刻蚀过程的可控调节。

MEMS刻蚀工艺仿真模型及研究进展

随着计算机技术和微机电系统发展的需要,微加工刻蚀工艺的计算机模拟得到了飞速发展。综述了微加工刻蚀工艺的研究现状以及几种典型的工艺刻蚀仿真方法,分析了各种方法的优势和不足;重点介绍了在基于各向异性刻蚀方面应用广泛的元胞自动机法(CA),分析其优势所在,并阐述了CA模型的基本原理、发展变化和研究应用。

复合钝化膜刻蚀工艺的探讨

针对复合钝化膜刻蚀均匀性差的问题,提出改进光刻工艺,通过温度控制提高复合钝化膜刻蚀均匀性的方法。

金属铝刻蚀工艺简介

在集成电路的制造过程中．刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分．刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀，可以严格控制纵向和横向刻蚀。

EDM刻蚀工艺扩大了加工的自由度

随着将EDM刻蚀技术加入到传统的模刻工艺和线切割EDM工艺中去,电火花加工成为更通用的手段。

泛林集团推出电介质原子层刻蚀工艺

全球领先的半导体设备制造商泛林集团公司近日宣布推出基于Flex^TM电介质刻蚀系统的原子层刻蚀（ALE）技术，进一步扩大了旗下的ALE产品家族。得益于泛林集团先进的混合模式脉冲（AMMP）技术，新型ALE工艺可在原子层面进行控制，以应对逻辑器件尺寸缩小至10nm及以下技术节点所面临的关键挑战。

电介质刻蚀工艺简介

随着半导体技术的发展，衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸（GD）亦朝着细微化方向发展，从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米甚至更小。而刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。

基于SVM的刻蚀工艺失效状态识别

针对反应离子刻蚀工艺,研究其状态监测与识别.采用主元分析(PCA)方法对原始数据进行降维,提取出有效的特征子集,再应用SVM建立失效状态的诊断识别模型,分析模型参数对失效状态的分类识别效果.采用主元分析法进行数据降维,从多监控量中提取影响最大的特征子集,再基于支持向量机(SVM)算法建立了失效状态的诊断识别模型,并分析了模型参数对失效状态的分类识别效果.研究结果验证了基于SVM方法的有效性,表明该模型具有高效的模式识别能力,可应用于存在小样本问题的其他半导体工艺状态分类和识别中.

半导体微细加工中的刻蚀设备及工艺

与传统湿法腐蚀比较,干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。目前,刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术,干法刻蚀设备亦成为关键设备。本文对半导体生产中刻蚀的原理、分类,结合生产实际对刻蚀工艺进行了较系统的论述,并介绍了随着硅片尺寸的增大,工艺线条进入亚微米级时代,相应刻蚀设备的发展趋势。

新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展

称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感,且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应。本文中,采用Applied CenturaAdvantEdgeTM MesaTM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺。调整C4F8流量可实现侧壁角的目标剖面。调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小。对于硅损的宏观负载,DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失,有良好的均匀性。