厚铝刻蚀残留问题的解决方案

传统的顶层铝刻蚀工艺主要用于形成铝块(PAD),形成的铝结构最终用于外接电路的连接窗口;针对客户的需求,减少工艺流程,增加成本优势,在12英吋晶圆顶层铝刻蚀工艺中,在形成铝块(PAD)的同时还需要形成电容、电感等器件结构,这使得铝刻蚀工艺有了更高的要求(密集的排线、更高的深宽比等);在实际的产品设计时,为了更好的性能需求,某些局部区域尺寸设计超出设计规范,需要通过工艺调整来满足设计需求。本文将简要介绍在厚铝刻蚀中,由于产品尺寸结构超出设计规范而造成的厚铝刻蚀残留问题,以及解决这一问题的方案。

金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策

集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。