低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0

基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟

用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证结果表明在沟槽宽度为4~10μm的范围内计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.