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基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟
被引量:
1
1
作者
刘向阳
徐国庆
+2 位作者
贾嘉
孙艳
李向阳
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期331-337,共7页
用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证结果表明在沟槽宽度为4~10μm...
用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证结果表明在沟槽宽度为4~10μm的范围内计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.
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关键词
碲镉汞
离子束
刻蚀
轮廓
水平集方法
刻蚀速度减缓
深宽比
下载PDF
职称材料
题名
基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟
被引量:
1
1
作者
刘向阳
徐国庆
贾嘉
孙艳
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院大学
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期331-337,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0500600)~~
文摘
用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证结果表明在沟槽宽度为4~10μm的范围内计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.
关键词
碲镉汞
离子束
刻蚀
轮廓
水平集方法
刻蚀速度减缓
深宽比
Keywords
HgCdTe
ion beam
etching profile
the level set method
etch lag
aspect ratio
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟
刘向阳
徐国庆
贾嘉
孙艳
李向阳
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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职称材料
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