用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数

用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数,结果表明，当X射线能量为100～150keV时，界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强.

X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽

X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟

用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。

用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .

X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响

用Monte Carlo方法计算了双层封装结构A l/Au-Si,Kovar/Au-Si,Au/A l-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小,并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.

用蒙特卡罗方法研究双层重金属与有机半导体界面的X射线剂量增强

用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数,结果表明,X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强.当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2μm)时,厚度为4μm比厚度为2μm的金产生更大的剂量增强;当金的厚度相同(均为2μm)时,厚度为1μm比厚度为2μm的酞菁铜产生更大的剂量增强.

金/硅界面X射线剂量增强效应的Monte Carlo模拟

通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用Monte Carlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。

X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟

用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每种结构在界面下所产生的最大剂量增强系数及引起剂量增强的X射线的能量范围。

用蒙特卡罗方法研究不同厚度的金对X射线在金-酞菁铜界面附近剂量分布的影响

用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金-酞菁铜界面的剂量增强系数．结果表明，金的厚度影响界面附近的剂量增强效果．当金的厚度为0～8μm时，剂量增强系数随金厚度的增加而增大．

X射线在酞菁氧钛与金界面的剂量增强计算

用蒙特卡罗方法计算了金-酞菁氧钛界面的剂量增强系数随能量的变化关系及不同厚度的金和酞菁氧钛对剂量增强系数的影响.结果表明:当X射线能量为10～250 keV时,界面附近酞菁氧钛一侧存在不同程度的剂量增强,剂量增强系数最大值达41.7;在金厚度一定时,随酞菁氧钛厚度减小,剂量增强加大,剂量增强系数随能量增加会出现2个明显的峰值;随着金厚度的增加,相同厚度的酞菁氧钛内部,高能部分的剂量增强均有增加的趋势,而在射线能量相同时,由于射线的平均自由程的限制,金的继续增厚不会使酞菁氧钛侧剂量增强进一步增大.