Fricke剂量计及辐照场内的剂量标定

辐照场内剂量标定是辐照加工工艺流程的依据,也是辐照产品的质量保证。例如加工以灭菌为目的的医疗用品,辐照前必须根据实验确定能确保达到灭菌效果的剂量下限D_(mm),辐照加工后的产品不应产生明显的物理和化学性能变化等对人体有害因素。因此,还必须确定不能超过的剂量上限D_(max)。当产品的吸收剂量D_(D)大于D_(min),而小于D_(max)时,则认为辐照产品的质量合格。

基于标定和计算的电子射野影像系统剂量重建

提出了一种基于标定和计算的电子射野影像系统(EPID)剂量重建算法。首先,对连续采集模式的EPID原始数据进行暗场校正和增益校正,然后通过亮场灰度特征确定射野边界。其次,对EPID数据进行MU标定、离轴标定和射野大小标定,并根据标定后的叠加通量和加速器机头蒙特卡罗模型进行剂量重建。最后,选取9例IMRT计划,分别使用EPID和MapCheck对计划进行验证测量,并在不同γ标准下比较两种验证工具的通过率。针对选取的1例计划病例,两种标准下使用MapCheck对多个病例验证的通过率分别为99.02%±1.28%、90.84%±4.49%;使用EPID重建模型的平均通过率分别为98.86%±1.19%、91.39%±4.80%。本文提出的标定和剂量计算相结合的EPID重建算法,与主流剂量验证软件MapCheck相比,对IMRT计划的验证通过率没有统计学差异(P>0.05),符合剂量验证的临床要求。

面向HIRFL-CSR主动式点扫描技术的剂量标定方法研究(英文)

基于HIRFL-CSR肿瘤重离子治疗终端主动式束流配送系统发展了面向三维点扫描适形调强治疗技术的在线监测器点扫描剂量标定方法。为了验证点扫描剂量标定方法的稳定性和可靠性,利用HIRFL-CSR提供的C离子束考察了在线监测器剂量标定因子的能量依赖以及不同扫描步长的影响。结果表明:在线监测器剂量标定因子存在能量依赖;不同扫描步长对剂量标定因子影响较小(偏差小于1.8%)。证明了点扫描剂量标定方法的稳定性和可靠性。鉴于在三维点扫描适形调强治疗技术中影响在线监测器点扫描剂量标定因子的因素较多,建议今后续继续研究点扫描剂量标定因子影响因素,修正和完善点扫描剂量标定方法。

Fricke剂量计的制作及剂量场的标定

制作了Ｆｒｉｃｋｅ剂量计，并使用该剂量计作为标准剂量计标定了校准点处的剂量率．并对ＵＶ－７５４分光光度计进行了校准和摩尔吸光系数的测定．

基于相对误差分段的剂量率拟合转换方法

针对计数与剂量率数据拟合过程中低剂量率误差偏大问题,提出一种基于相对误差分段的剂量率拟合方法。以相对误差为判断依据,依次从高剂量率区域往低剂量率区域开展剂量率数值拟合,使拟合剂量率值中,高剂量率段相对误差均非常贴近于真值,同时低剂量率区域通过分段方式亦贴近于真值。结果表明,该剂量率拟合转换方法结果更贴近真值。

荧光材料SrS：Eu，Sm在辐射剂量测量中的应用

采用碳还原法合成了SrS∶Eu,Sm,并对光激励发光材料SrS∶Eu,Sm的辐射剂量特性进行了研究。将SrS∶Eu,Sm材料做成PMMA剂量片在60Coγ源下接受辐照,然后用自己搭建的在线实时测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测量。主要探讨了光激励发光材料SrS∶Eu,Sm在辐射剂量测量中的应用。

碱土金属硫化物光激励材料在辐射剂量测量中的应用

采用碳还原法合成了掺杂两种稀土金属离子的碱土金属硫化物光激励发光材料,并对光激励发光材料的辐射剂量特性进行了研究。将材料做成PMMA剂量片在60Coγ源下接受辐照,然后用自己搭建的在线实时测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测量。实验发现碱土金属硫化物光激励发光材料在0.01～1000Gy内,有很好的辐射剂量响应范围(5个剂量级),荧光信号峰值强度与辐照剂量线性关系良好,说明碱土金属硫化物光激励发光材料在辐射剂量测量中有着很好的应用前景。文章主要探讨了碱土金属硫化物光激励发光材料在辐射剂量测量中的应用。

CaS:Ce,Sm材料光致荧光辐射剂量相关性能测量

本工作对光致荧光材料CaS：Ce,Sm的辐射剂量特性进行研究。利用60Coγ源对CaS：Ce,Sm/PMMA剂量片进行辐照,应用自行搭建的测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测试。测试结果表明,CaS：Ce,Sm材料是短余辉材料,环境温度对材料性能影响显著,在0.1～100 Gy内,荧光信号峰值强度与辐照剂量线性关系良好。

质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究

针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)和电荷泵法(Charge Pumping,CP)对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷进行了分离,结合Geant4工具包仿真质子在氧化层中初级反冲原子(Primary Knock-on Atom,PKA)的产生过程,对RADFETs质子与(60)^Coγ辐射响应差异的微观机理进行了探讨。研究结果表明:RADFETs对质子的剂量响应较少,但质子辐照会在RADFETs中引入位移损伤,加剧其邻近界面处的陷阱电荷对测量结果的影响。因此RADFETs在空间应用时,有必要使用质子电子的通量模型对测量数据进行修正或设计特定的标定方案。