双岛结构多晶硅压力传感器削角补偿技术的研究

详细讨论了双岛结构多晶硅压力传感器制作过程中的一种微机械加工技术 .传感器采用的材料是双面抛光的 (1 0 0 )晶面硅片 ,制作中还利用了半导体集成电路平面工艺 .研制这种传感器遇到的主要问题是硅各向异性腐蚀的凸角削角问题 .为削角补偿设计了两种特殊形状的掩膜结构 ,在实验中获得了满意的效果 。

硅微机械加工的削角补偿技术

通过分析硅的结晶学特性及实验考察硅各向异性腐蚀的择优腐蚀面和削角线，研究了尖角与方角的掩模补偿方案，提取了削角因子，并且给出了针对于特定腐蚀深度的最佳补偿图形及设计参数。研究结果表明该方法可对硅微机械加工中凸角腐蚀的削角部分进行全面补偿。

微型双岛硅膜制作中的削角补偿方法研究

针对微型双岛硅膜制作中的凸角削角腐蚀问题，提出了一种新的削角补偿方法一“两端矩形补偿法”，并在感压膜尺寸仅为０．７２ｍｍ×１ｍｍ的双岛硅膜制作中获得成功。

无掩模腐蚀下的凸角削角及补偿研究

在使用无掩模腐蚀制作硅微机械结构时,其结构凸角的削角特性有别于常规有掩模腐蚀时的情况.本文通过分析和实验,研究了该情况下凸角削角尺寸的变化规律和特点,并给出了对其进行补偿的原则和方法.

在EPW中采用(100)硅制作微悬臂梁凸角补偿及工艺研究

(100)硅片在EPW腐蚀液中进行各向异性腐蚀时,因在(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使微悬臂梁凸角掩膜下的硅受到侧向腐蚀,出现严重的凸角削角现象.研究采用EPW腐蚀(100)硅片制作微悬臂梁的凸角补偿方法及制作工艺,给出采用圆形掩膜对(100)硅凸角进行补偿.实验结果表明,该方法能够较好的完成对EPW腐蚀液中悬臂梁凸角削角的补偿。

硅KOH腐蚀<100>晶向凸角补偿技术及应用

在(100)硅上制作边沿<100>晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿<100>晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;“Y”形补偿的微镜,反射面呈底角为75.96°的梯形。经补偿后的微镜,可提高光开关切换光束效率。讨论了(100)硅的<100>晶向掩模凸角补偿技术应用于微机械加速度计质量块制作的可能性。