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p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响 被引量:5
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作者 陈伟 饶海波 +4 位作者 蒋泉 余心梅 胡玥 李君飞 侯斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期51-54,共4页
对OLED器件施加扫描电压时,器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同,器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq3/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试,并尝试用p型深受主型陷... 对OLED器件施加扫描电压时,器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同,器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq3/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试,并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在,以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象,获得了比较满意的结果,为器件性能的进一步优化找到了方向。 展开更多
关键词 有机电致发光 电压-电流特性 p型深受主能级 前向扫描
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